科研进展
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上海科技大学Advanced Materials:双层石墨烯Kagome超晶格中的相关绝缘态堆叠
作者介绍了一种在双层石墨烯中构建的人工Kagome超晶格,通过对介电衬底进行纳米图案化处理,形成精确定义且可静电调控的周期势场。磁输运测量结果显示,在中等强度超晶格势场作用下,体系涌现出堆叠式相关绝缘态,这是Kagome诱导平带内强电子-电子相互作用的特征。随着温度升高,这些相关能隙逐渐坍缩,标志着相互作用驱动态的热抑制效应。连续模型计算证实了多个平带微带的形成,并复现了观测到的能带重构演化过程。我们的研究结果表明,介电图案化石墨烯超晶格可作为超越莫尔体系的鲁棒可控架构,用于实现平带诱导的相关现象。
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最新Science Advances:金属-有机框架/石墨烯纳米带/聚酰亚胺混合基质膜用于高温H₂/N₂ 分离
为了增强氢气选择性,将石墨烯纳米带(GNRs)引入 ZIF-8 填料中,形成了一种有利于氢气传输的物理限域结构。将这种金属-有机框架(MOF)/GNR 填料嵌入聚酰亚胺(PI)基质后,所得膜比纯 PI 膜具有更高的 H₂ 渗透性(298 Barrer,+40%)和 H₂/N₂ 选择性(15,+25%)。特别地,所制备的不对称膜在 35°C 时实现了 212±45 GPU 的 H₂ 渗透率和 19±2 的 H₂/N₂ 选择性。
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AS | 南京工业李长霞、王川,柏林工业大学Arne Thomas:调控共价有机框架/石墨烯水凝胶的电荷异质性以实现耐盐
南京工业大学李长霞教授、王川教授,柏林工业大学Arne Thomas教授合作,通过精准调控COF在石墨烯水凝胶中的电荷分布,提出了全新的“异质电荷性增强蒸发”的策略。该设计不仅实现了盐水蒸发速率超越纯水的反常现象,还展现出广谱废水处理能力,揭示了电荷异质性在调控离子-水相互作用中的关键作用,为下一代水处理材料的设计提供了全新思路。
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上海交大吴天如,高文旆,华东师范大学袁清红Nature Synthesis:界面近熔融辅助转移技术,实现超洁净石墨烯/h-BN转角超晶格的可控制备
本研究提出了一种基于真空下近熔融转移新技术,成功实现了超洁净、无损伤的Gr/h-BN超晶格的可控制备。通过宏观基底对准技术,实现了不同扭转角的多层结构,具有优异的界面质量、平整表面和精确角度调控。理论分析揭示,Ge基底在接近熔点时Ge-Ge键振动,削弱了材料与基底的结合力,从而实现高效、洁净的转移。实验与理论结合验证了该方法在调控电子结构和非线性光学性能方面的潜力。该工作为大规模转角二维异质结构的制备提供了新路径,对探究转角石墨烯/氮化硼的电子与光电性质具有重要意义,并为转角电子学的应用奠定了材料基础。
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鱼与熊掌兼得!利用“缺陷”造出“超导铜”
突破了消除缺陷提升金属导电性的传统认知,提出将晶格缺陷转化为导电优势的反向策略。通过异质界面辅助塑性变形在铜中形成大量严重晶格畸变缺陷,利用冷拔和退火过程中石墨烯与铜热膨胀系数失配而产生的内部巨型局部应力,显著抑制了电子-声子耦合、减少声子致电子散射,使铜在室温下获得>110% IACS的电导率(等效10GPa高压效果);该方法制备的石墨烯-铜(Gr-Cu)复合线材还兼具高力学强度、高载流能力、低密度等优势,且无需极端外部条件,为高性能金属导体研发提供了可拓展方案,研究还证实了晶粒细化并非必然降低导电性。
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石墨烯忆阻器能否解决人工智能的能耗问题?
当前人工智能讨论的焦点之一是其能耗问题。这些数据凸显了传统冯·诺伊曼架构中,在传感器、存储器和处理器之间传输海量数据所产生的巨大成本。忆阻器或可提供新路径。作为常被称为“第四基本电路元件”的非易失性电阻开关器件,其通过电阻状态存储信息。
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院士领衔!石墨烯领域又一重要新成果
研究人员先将石墨烯或 hBN 转移到 SiO₂/Si 基底上,再通过 CVD 让前驱体“钻进”盖层与基底之间的纳米夹层,在这里完成二维材料的成核和生长(图1a)。在这个受限空间里,前驱体只能沿着晶体边缘原位拼接,而无法像开放环境那样在表面继续“叠层”,从源头上抑制了多层生长。
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内蒙古大学朝鲁门团队: 性能新颖的交替扭曲纳米石墨烯
该研究合成了一种以二喹喔啉并芘为核心的扭曲纳米石墨烯分子,研究发现该分子具有交替扭曲构型,在缺电子型二喹喔啉并芘与共轭拓展的协同作用下具有三电子接受能力。该分子展现出红色荧光特性,主要是因为二喹喔啉并芘核心扭曲使其 HOMO 轨道能量升高,从而降低光学能隙;另外其 S0 与 S1 结构相差较大,导致了较大的 Stokes 位移;同时该分子对 Ag⁺ 的荧光探针功能,在光电材料和化学传感领域具有潜在的应用价值。
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北京大学邹如强教授团队:气凝胶限域 + 垂直 rGO 通道!相变复合材料 300 次循环储热 retention 98%,无泄漏
该材料以石蜡(PW)为相变核心,生物启发型气凝胶为限域骨架:GOX 气凝胶为各向同性多孔网络,v-rGOX 气凝胶为垂直取向还原氧化石墨烯通道,经黄原胶(XG) fibril 强化后,兼具结构稳定性与定向导热能力。这种双体系设计使材料具备卓越综合性能:热整流方面,GOX@PW/v-rGOX@PW 双层器件在 13℃温差下热整流比达 2.4-2.6,实现 “单向导热” 二极管效应;导热性能方面,v-rGOX@PW 的面内热导率达 1.65 W/(m・K),是纯 PW 的 8 倍;储热性能方面,相变焓值 166-171 kJ/kg,300 次循环后储热 retention 率 96-98%,无泄漏现象;实际应用中,作为 CPU/GPU 热界面材料,可使峰值温度降低 13℃,冷却效果显著优于商用材料。
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中国科学院深圳先进技术研究院丁宝福团队AFM:基于氟化石墨烯液晶的深紫外电光调制器
本研究采用温和的液相剥离技术,成功制备了一系列的二维氟化石墨烯材料。该方法在保持材料的高几何各向异性比(>103)的同时,有效抑制了剥离过程中的脱氟与氧化(图1)。氟化石墨烯氟碳比最高为1.12,其光学带隙高达5.5 eV,有效确保其在220-400 nm深紫外波段透光率高于50%。
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博士生领衔破解百年难题!郑泉水院士团队揭示石墨高阻根源,成果登Advanced Science
传统高定向热解石墨(HOPG)中普遍存在这种无序堆垛结构,正是其垂直电导率远低于理论极限的”罪魁祸首”。而通过外延生长制备的单晶石墨(ESCG)因具备高度有序的AB堆垛,展现出石墨材料真正的本征电输运能力——其c轴电导率比HOPG高出近两个数量级。更令人振奋的是,研究团队创新性地提出了”旋转锁定(rotation locking)”策略——巧妙利用范德华界面的超滑特性,通过微机械拨动将高阻的非公度堆垛界面原位转变为低阻的AB堆垛结构,实现了界面电导的动态调控。
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Light | 基于混合氧化硒化钨/石墨烯电极的近无损二维半导体相位调制器
本研究通过TOS掺杂石墨烯的创新策略,成功解决了传统相位调制器“调制效率-光学损耗”的核心权衡问题,实现了近无损、高效率的二维半导体相位调制器。核心成果包括:①开发了一种可使石墨烯在电信波段近透明的掺杂技术,吸收率降至<0.05%;②构建了“WS2/hBN/TOS/Gr/SiN”异质结构调制器,Vπ·L=0.202 V·cm,消光比变化0.08 dB;③验证了二维材料与硅光子平台的高效集成方案,兼容CMOS工艺。该成果不仅在性能上超越了现有所有二维材料调制器,更重要的是为二维材料在光子学领域的实用化提供了可行路径。
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大连交通大学张晋教授团队EM发表文章:毛细管狭缝诱导石墨烯层压薄膜增强面容性储能
本研究成功实现了“废物 → 合成 → 高本研究通过提出毛细管缝隙诱导自组装策略,成功构筑了高度有序的石墨烯层状膜结构,有效缓解了传统石墨烯电极中层间无序堆叠和离子传输受限等问题。得益于优化的层状取向与连续导电网络,该电极在超级电容器中表现出优异的面积比电容、倍率性能及长期循环稳定性,凸显了结构调控在提升二维碳材料储能性能中的重要作用。
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同济大学《CRPS》:基于碳纳米管/石墨烯/TPU的电子皮肤,用于仿生设备和智能可穿戴设备
研究报道了基于高伸展性微孔碳纳米管/石墨烯/热塑性聚氨酯复合薄膜的伸展/温度敏感型(S/T-S)和压力敏感型(P-S)电子皮肤。在 ε 变形率为 0%–340% 和 340%–480% 的范围内,S/T-S 电子皮肤的应变系数(GF)分别为 12.19 和 635.03。此外,预拉伸处理显著提升了其在拉伸-释放循环中的重复性。压力-拉伸型电子皮肤在5–20,005 Pa压力范围内具有1.79 kPa⁻¹的应变系数。凭借卓越性能,该电子皮肤被集成至仿生蛙舌结构,实现环境温度、伸缩及触觉信号检测。同时提出基于机器学习的足部姿势分析系统,其识别准确率高达96.2%。
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韩国釜山国立大学《Small Struct》:封面!基于液晶聚合物基板上石墨烯与双金属氧化物界面,实现垂直集成的微型超级电容器
研究提出一种集成了垂直堆叠储能阵列与光伏能量采集器的自供电微型超级电容器(MSC)系统。该超薄MSC通过柔性液晶聚合物薄膜制备,采用顺序激光刻蚀与贯穿孔钻孔技术,结合原位双金属氧化物合成工艺,在紧凑可扩展架构中实现了卓越的面积能量密度与体积能量密度。