晶体管

这是国际上首款成功实现射频测试功能的势垒晶体管。研究团队首先在锗衬底上通过化学气相沉积外延生长了晶圆级单晶单层石墨烯，随后将单晶硅膜精确堆叠于石墨烯之上，构筑了高质量的硅-石墨烯-锗垂直异质结构。

PMF2000 是 Paragraf GFET 产品组合的最新成员，这是一款采用该公司石墨烯直接生长工艺制造的、无污染的硅基石墨烯器件。该传感器主要面向医疗保健、农业科技、化学分析和工业研究领域的分子传感应用。Paragraf 希望该产品能为客户提供更高产量生产路径，且无需更改现有的基于 GFET 的设计。

为评估其作为独立实验系统的运行能力，Qumus被赋予了分离面积大于200 μm²的石墨烯薄片的任务。持续超过4小时的实验过程中，该机器人系统分析了先前结果并迭代调整参数。经过五轮优化循环后，成功分离出一片面积为245 μm²的石墨烯薄片。此外，该系统还成功制备了一个完整的石墨烯场效应晶体管。

随着PMF2000 GFET的发布，该公司继续扩充其产品组合。这是一款纯净、无污染的单层石墨烯器件。这是该公司位于亨廷顿的新大型晶圆制造工厂——全球首家石墨烯代工厂——生产的首款器件。这一生产进展提高了器件的整体良率，并为质量的一致性树立了新标杆，使 Paragraf 的客户能够满足其工业规模的分子传感需求。

本文以DNA和PNA作为探针，利用褶皱石墨烯FET电生物传感器，实现了高灵敏度的核酸分子检测。对褶皱石墨烯FET生物传感器的检测极限为600 zM，对于平坦石墨烯为2 pM。

二维（2D）半导体因其巨大的比表面积、可调的电子特性和室温下的高本征灵敏度，为下一代气体传感技术带来了前所未有的机遇。然而，其实际应用往往被一个基本但极易被忽视的界面问题所掣肘：那就是2D半导体沟道与三维（3D）金属电极之间的接触电阻。这种寄生电阻不仅降低了传感器的灵敏度和检测限，更严重影响了器件的操作稳定性和制造可重复性，是限制该领域发展的核心瓶颈。

大多数TDM传感器依赖电解质溶液的流动、抗体的结合或荧光标记来工作。相比之下，GFETs具有经适配体修饰的CVD石墨烯表面，这些适配体充当“捕获臂”。这些适配体从样本中捕获药物分子。当药物分子与功能化CVD石墨烯结合时，这种相互作用会导致电流和栅极电压发生变化，从而实现药物浓度的测定。与其他TDM传感器不同，GFETs无需二次抗体、荧光染料或电化学介质即可工作。

FE图南工作室提供石墨烯短沟道电极及器件与二维材料裂缝定制，可实现亚50nm短沟道电极，可定制TLM石墨烯短沟道电极，AFM下表征表面干净。

研究团队引入了一种具有刚性大环结构的卟啉分子——四（对羧基）苯基卟啉（TCPP），作为石墨烯与抗体之间的新型连接分子。与常用的柔性链状分子（如 PBASE）不同，TCPP 能够在石墨烯表面形成稳定的 π–π 相互作用网络，并通过其刚性结构为抗体提供“支撑”，使抗体在界面上呈现出更为一致的“端朝上”垂直取向。实验与计算模拟结果均表明，这种定向排列显著提升了抗体可用于识别目标分子的有效比例。

近期，英国伦敦帝国学院Sami Ramadan 联合浙江大学徐李舟研究员/北京协和医院Yin Tianyi团队综述了基于GFET的生物传感器在液体活检中检测疾病生物标志物的潜力，详细探讨了GFET从实验室研究向临床应用转化的过程，包括其在生物标志物检测中的多功能性和在复杂生理条件下的性能提升策略。

二维材料试点生产线（2D-PL）是欧洲推动二维材料技术从科研走向规模化制造的创新平台。多项目晶圆（MPW）项目使企业、初创公司及研究团队能够在共享晶圆上验证器件概念，大幅降低成本并缩短开发周期。

此前，Paragraf采用无污染、无转移技术在2英寸蓝宝石晶圆上制造GFET。传统方法常需从生长基板转移石墨烯，该过程易引入金属杂质。通过直接在硅基材上生长石墨烯，Paragraf旨在保持材料纯度与器件完整性，同时提升与主流半导体制造工艺的兼容性。