外延缓冲
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EES:石墨烯阵列诱导锌金属负极沉积
作者通过剪切流诱导法得到米级的Cu@G复合集流体,并实现Zn(002)晶面在集流体上的优先沉积。多种实验表征和模拟证明,揭示了Cu@G诱导Zn(002)晶面的优先沉积的原理。匹配Cu@G的不同器件(锌离子混合电容器、锌离子电池和Zn-MnO2电池)均表现出优异的循环性能。本工作对提高负极中Zn利用率和无锌负极储能器件设计具有重要的指导作用。
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首尔国立大学Gyu-Chul Yi等–GaN在石墨烯-蓝宝石上的脉冲模式金属有机气相外延生长
在石墨烯涂层蓝宝石衬底上生长的高质量GaN膜可以通过使用热释放带轻易地剥离并转移到外来衬底上。此外,揭示了在GaN生长过程中氨流的脉冲操作是制备高质量独立GaN膜的关键因素。
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石墨烯能否增强氮化物半导体技术?
来自士兰微电子、北京石墨烯研究院和苏州大学的研究人员共同努力,对石墨烯作为氮化物外延生长缓冲层的开发和可能用途进行了全面的综述。
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研究人员成功在柔性石墨烯基板上生长 GaN microLED 阵列
研究人员使用金属有机气相外延在覆盖有微图案 SiO2 掩模的石墨烯层(生长在蓝宝石基板上)上生长 GaN 微盘。然后将微盘加工成 micro-LED,并成功转移到可弯曲基板上。
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澳门大学Shi Chen课题组–单层石墨烯覆盖的 TiO2上生长无机钙钛矿薄膜于高性能太阳能电池
受益于惰性和原子光滑的石墨烯表面,通过范德华外延生长在顶部的CsPbBr3薄膜具有更高的结晶度、改善的(100)取向以及高达1.22μm的平均域尺寸。同时,在石墨烯/钙钛矿界面处观察到强烈的向下能带弯曲,改善了电子传输层(ETL)的电子提取。因此,在石墨烯上生长的钙钛矿薄膜具有较低的光致发光(PL)强度、较短的载流子寿命和较少的缺陷。
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Nano Letters:远程外延的 GaN 衬底上石墨烯优异的热化学稳定性
尽管GaN具有优异的物理特性,使其成为高性能电子和发光器件应用的引人注目的选择,但GaN衬底上石墨烯在高温下热化学分解的挑战阻碍了通过MOCVD实现远程同质外延。
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Nano Res.[器件]│台国安教授课题组:硼烯-石墨烯异质结的制备及其高效宽带光电探测器
南京航空航天大学台国安教授课题组用化学气相沉积的方法成功原位制备出硼烯-石墨烯异质结,首次构筑了硼烯-石墨烯异质结(B/Gr)基宽波段光电探测器,展示出其在光电探测器件上的应用潜力。
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Analytical Chemistry:超薄石墨炔/石墨烯二维材料构建电化学检测平台
在此结构中,石墨炔起到吸附层的作用,通过d -π和π -π相互作用对目标物表现出很强的亲和力,同时石墨烯起到导电层的作用,解决了石墨炔导电性差的问题,实现了Cd2+, Pb2+, nitrobenzene和4-nitrophenol的检测。
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光州科学技术研究所Dong-Seon Lee–石墨烯的稳定性及AlN表面凹坑对GaN远程异质外延剥离的影响
我们首先展示了石墨烯在生长GaN之前的热稳定性,在此基础上开发了GaN在石墨烯/AlN上的两步生长。GaN样品在750℃的第一步生长后成功剥离,而在1050℃的第二步生长后剥离失败。深入分析证实,AlN模板中的凹坑导致该区域附近石墨烯的降解,从而导致生长模式的改变和剥离失败。
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郑州大学xu zhang等–石墨烯薄膜上纳米线的自组织生长
纳米线(NWs)在石墨烯薄膜上的自组织生长是通过金属有机化学气相沉积的范德瓦尔斯外延机制实现的。这是一个基本的现象,与已知的生长机制,如自催化和金属催化的纳米线生长有着质的区别。
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Nano Res.[制造]│高鸿钧课题组:构筑石墨烯硅烯转角异质结
我们团队利用分子束外延的生长方式,在可控热处理制备的Ru(0001)孪晶表面上,制备了石墨烯单晶结构,并通过硅插层技术,在Ru/石墨烯层间面制备出单层硅烯,得到不同转角的石墨烯/硅烯异质结(TGS)。我们通过扫描隧道显微镜和计算证实了异质结的存在,并对其结构进行了研究。
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SCMs|氮掺杂单层石墨烯上无中间层沉积高质量氮化镓
证明了通过界面调控可在氮掺杂石墨烯上生长高质量的氮化镓薄膜,是一种有效的原子调控方法。本方法为新型半导体器件的工业发展提供了新思路。
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所Yu Xu、Ke Xu和苏州大学Bing Cao等–石墨烯辅助衰减电荷转移对远程
石墨烯作用的深刻揭示揭示了RE的界面物理特性,并为使用2DM扩展三维材料(3DM)以应用于器件提供了更有价值的指导。
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Nature Materials: 外延拓扑绝缘体/石墨烯/镓异质结构中的邻近诱导超导
将超导性引入拓扑绝缘体的狄拉克表面状态可以衍生拓扑超导体,其可以通过Majorana零模支持拓扑量子计算,然而可扩展材料平台的进一步开发是实现拓扑量子计算的关键。鉴于此,来自宾夕法尼亚州立大学物理系的Jun Zhu等人系统研究了高质量(Bi,Sb)2Te3/石墨烯/镓异质结构的生长和性能,为理解和利用拓扑超导的应用潜力提供了新的思路。
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石墨烯用于生长世界上最小的microLED和最高密度的microLED阵列
研究人员开发了一种基于2D材料的层转移(2DLT)技术 – 该技术涉及在2D材料涂层的基板上生长LED,移除LED,然后敲击它们。对于红色LED,研究人员使用涂覆在GaAs晶片上的石墨烯,而对于绿色和蓝色LED,他们在蓝宝石晶片上使用hBN。石墨烯红色LED使用远程外延转移,而hBN蓝色和绿色LED使用范德华外延去除。