科研进展
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北航《Carbon》:跨尺度构建Co₃Se₄/CNFs@rGO复合气凝胶,用于高效宽带电磁波吸收
本研究采用电纺技术结合一系列后处理工艺,制备了具有1D/2D分级结构的Co₃Se₄/CNFs磁性功能组分。随后,将这些组分作为功能性填料掺入3D rGO基体中,并通过发泡和冷冻干燥技术构建出宏观气凝胶金字塔楔形阵列(CSC-PGA)。
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安徽大学《Nano Lett》:基于石墨烯/碳纤维电极的柔性纱线超级电容器
研究提出了一种界面工程调控策略。该团队设计并制备了聚多巴胺修饰的还原氧化石墨烯(rGO/PDA)复合材料,并成功构建了高性能汗液激活纱线超级电容器(SYSC)。
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CEJ:阻燃改性壳聚糖用于高性能激光诱导石墨烯,以应用于可生物降解柔性电子器件
前驱体材料是 LIG 形成过程中最关键的因素,因为它们既是决定最终 LIG 特性的碳源,又往往直接作为微纳应用中的机械支撑与功能平台。目前,含 PI 的塑料聚合物薄膜因其高碳含量、优异的热稳定性和易加工性,已成为广泛研究的前驱体材料。然而,塑料聚合物薄膜不可降解的特性带来了环境与经济方面的弊端,对其可持续及经济高效的应用构成了挑战。因此,探索可降解生物碳材料作为 LIG 前驱体,对于 LIG 技术的可持续发展至关重要。
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双界面适配石墨烯泡沫:面向粗糙界面的新一代热界面材料
昆明理工大学研究团队提出一种将微观石墨化与宏观力学、拓扑界面适配相结合的方案,以突破这一瓶颈。随着热处理温度升高,含氧基团逐步脱除、缺陷得到修复、晶格结构有序度提升,石墨烯片层间发生层间界面熔合。
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韩国科学技术研究院Kyeong-Seok Lee团队 Small:仿视网膜石墨烯晶体管实现方向与速度选择性计算
近日,韩国科学技术研究院(KIST)Kyeong-Seok Lee研究团队,开发了一种多栅离子凝胶石墨烯场效应晶体管(multi-gate ion-gel graphene field-effect transistor,MIG-GFET)。该器件利用空间分布的栅极和离子迁移动力学,在单个晶体管中模拟人工树突、方向选择性及速度调谐,并进一步用于传感器内图像稳定。相关成果发表于《Small》。
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香港科技大学Newton:双层石墨烯–莫特绝缘体异质结中拓扑电子晶体的涌现
近期,香港科技大学戴希教授团队在 Newton 上报道了电荷转移型双层石墨烯–莫特绝缘体异质结中拓扑电子晶体的涌现。层间电荷转移在体系中诱导出电荷中性、且具有强质量不对称的电子–空穴双层:双层石墨烯中是轻而巡游的电子,莫特绝缘体层中是重而近乎局域的空穴。
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南开大学&湖南师范大学&香港城市大学Optica:扭转调控双层石墨烯中的Goos–Hänchen位移与电子–空穴不对称性
该工作在实验上验证了GH位移谱与光学吸收测量之间的对应关系,实现了通过层间扭转角对TBG中GH位移特征的精确调控,并首次报道了TBG光学测量中GH位移谷的劈裂现象,将其归因于大扭转角下显著增强的电子–空穴不对称性。这种通常低于100 meV、且被传统吸收谱的光学展宽所掩盖的劈裂,充分展示了GH位移测量的卓越灵敏度。借助GH位移谱获得的劈裂能量,还可反过来约束紧束缚模型中的层间耦合强度等关键参数,使模拟更贴近真实实验条件。
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ACS Nano | 用于高灵敏度透明应变传感器的超薄小尺寸氧化石墨烯改性MXene混合薄膜
本文借助朗缪尔‑谢弗组装法,将小尺寸氧化石墨烯纳米片掺入超薄堆叠的MXene薄片中,制备得到氧化石墨烯改性MXene复合薄膜,以此实现兼具高灵敏度与高透明度的应变传感器。研究发现,横向尺寸处于亚微米级的氧化石墨烯,对提升超薄堆叠结构内MXene薄片的排列规整度与致密性起到关键作用。
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北京师范大学/北京大学Phys. Rev. Lett.: 通过强层间杂化在石墨烯/WSe2异质结中实现的类Kagome能带
最近,几项实验表明,在垂直堆叠结构中调制层间距可以解锁丰富的涌现现象谱。例如,减小层间距使得转角双层石墨烯中在魔角~1.1°的转角处也能出现超导性。鉴于层间距作为调控电子性质的一个关键新控制参数,它提出了一个重要问题:转角和层间距之间的相互作用如何具体调控异质结中的电子行为?
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研究进展 | 石墨烯-光缀饰材料,Floquet拓扑绝缘体-Nature Physics
通过将圆偏振飞秒激光脉冲(波长1550纳米)聚焦到单层石墨烯上,成功生成了Floquet拓扑绝缘体。借助相位锁定的二次谐波场(波长775纳米),通过精确控制基频光与倍频光之间的相对相位和偏振态,动态地控制了该物质态中的电子,实现了对电子运动的相干控制,将这项调控技术称为谐波Floquet光谱学。
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武汉理工大学何大平团队IM研究论文:应用于物联网的多频多极化多波束石墨烯共形射频能量收集系统
现有射频能量采集系统在柔性、曲面共形、多频段接收和系统集成方面仍存在限制。为解决这些问题,本文基于石墨烯组装膜材料,提出了一种适用于物联网应用的双频段、双极化、双波束辐射和柔性易共形的多域性能提升的GAF射频能量收集系统(GEHS)。
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同济大学王志伟团队童鑫课题组EST:不同分离系统中氧化石墨烯膜单价离子选择性不可比性的微观机制研究
该研究以氧化石墨烯(GO)膜为分离介质,探究了氧化石墨烯(GO)膜在浓度梯度驱动的扩散系统和电场驱动的电迁移系统中的单价离子选择性不可比性及其微观机制。通过实验表征和分子动力学(MD)模拟相结合揭示了不同驱动力下离子渗透速率及离子选择性差异。
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深圳大学刁东风教授 Adv.Mater.:具备室温本征铁磁性的晶圆级超多孔石墨烯网络
本文借助电子回旋共振等离子体辅助物理气相沉积工艺,制备晶圆级超多孔石墨烯网络 HGN,这种三维多孔结构内部拥有大量相互分隔的锯齿型悬空边缘,实现了室温下宏观碳材料的本征铁磁行为,磁矩密度约 0.06 μB/atom,比缺陷热解石墨高出三个数量级。
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基于微流控的各向异性二维纳米片组装与强韧化设计研究
研究团队设计了一种多流微流控芯片,通过调控通道内剪切流场的分布,实现了氧化石墨烯纳米片在三维空间中的周期性定向排列。具体而言,水平排列的孔道产生沿x轴和y轴取向的纳米片,而垂直排列的孔道则诱导z轴取向的纳米片。通过调节孔道宽度(w)和厚度(h),可精确控制不同取向纳米片的体积分数与空间分布。该过程具有广泛的工艺适应性,在较宽的流速和GO浓度范围内均能稳定形成预设的各向异性结构,显示出微流控技术在构建复杂有序结构方面的独特优势。
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Advanced Electronic Materials:MoS₂/石墨烯浮栅晶体管——面向非易失存储与高精度突触操作
器件构建于重掺杂 p⁺⁺ 硅衬底(作全局背栅)之上,自下而上依次为约 270 nm 热氧化 SiO₂ 绝缘层、2 μm 长的单层 MoS₂ 沟道、6 nm HfO₂ 隧穿层、石墨烯浮栅以及 12 nm HfO₂ 阻挡层,顶部为 Au 控制栅;源、漏接触由沉积于石墨烯电极上的 Au 构成。