科研进展

多环芳烃液晶分子通过强 π-π 相互作用锚定于石墨烯表面；该改性手段可提升石墨烯与芳纶基体的界面相容性，可有效降低界面热阻（ITR），改善石墨烯在芳纶中的分散性和缺陷填充，且不会破坏石墨烯晶格结构。通过该策略制备的改性石墨烯填料，与芳纶通过共混、真空抽滤、热压工艺制备复合导热薄膜。

在此研究中，作者在转角单层-多层菱方石墨烯中发现了高Chern数轨道磁体，记为(1+n)，其中n=3、4和5。磁输运测量显示，当每个莫尔晶胞中一个和三个电子被极化远离莫尔界面时，会表现出显著的反常霍尔效应。

本实验方案弥补该技术空白，详细介绍大面积单晶铜 (111) 箔制备、单晶铜镍合金箔转化、单晶石墨烯薄膜快速化学气相沉积合成、无损伤电化学转移整套操作流程。这份完整实操指南提供一套易复现、易上手的实验方案，助力科研人员稳定制备高质量单晶石墨烯，推动二维材料基础研究与先进电子器件研发进程。

该类碗状的类双层石墨烯结构通过其独特的层内振荡，有效弱化了层间相互作用，从而实现了自由基在宽温度范围内的卓越稳定性。这些被周期性阵列缺陷所稳定的自由基，构成了本征自由基缺陷态，并通过高效的激子解离与电荷转移机制，实现了明亮的NIR-II区发光。封装后的GQD胶束成功应用于小鼠全身血管、脑部、淋巴结及肿瘤的高分辨率、实时动态成像，展示了其在精准医疗诊断领域的巨大临床转化潜力。

文章详尽总结了自上而下（机械剥离、液相剥离、电化学剥离、氧化还原法）与自下而上（化学气相沉积CVD、外延生长、激光辅助合成）两大制备范式，重点评述了闪速焦耳加热（FJH）、等离子体合成与激光辅助合成等前沿技术的最新进展。在工程化层面，论文深入探讨了CVD大面积薄膜生长、湿法/干法/卷对卷转移技术及界面掺杂与杂化策略对器件性能的决定性作用。在应用层面，作者按能源存储（锂离子电池、锂硫电池、钠/钾离子电池、超级电容器与储氢）、能源转换（燃料电池、太阳能电池、热电材料）与能源收集（摩擦纳米发电机与废热回收）三大板块，全面解析了石墨烯如何通过结构设计与界面工程提升能量密度、功率密度及转换效率。

本文创新提出双催化限域界面化学势调控策略，将两片 Cu (111)/ 蓝宝石单晶衬底面对面堆叠，构建对称双催化密闭反应空间，双向铜催化界面同步消耗气相碳物种，精准压低界面碳化学势，把无单层石墨烯的工艺窗口拓宽近十倍；在中试 CVD 设备单次批次稳定制备二十片 6 英寸无附生单晶石墨烯晶圆，附生畴数量降低四个数量级，同时薄膜转移完整性、电学均匀性大幅提升，室温平均载流迁移率可达 8461 cm²V⁻¹s⁻¹，整片晶圆方阻偏差仅 3%。