科研进展

本研究建立了GRT的基本构效关系，揭示了热性能关键取决于微纳尺度导电网络的结构设计。所提出的策略为制造先进热管理解决方案提供了一条有前景且可规模化的途径，以满足下一代高功率电子器件日益增长的散热需求。

整套器件制备分为石墨烯预成型、电烧蚀造间隙、化学共价桥接分子三步：先通过光刻把石墨烯加工成中间窄的蝴蝶结结构，将纳米间隙在通道中心成型的成功率从 30% 提升至 88%；再在空气中依靠反馈控制电压扫描，利用焦耳热精准烧断石墨烯得到约 0.9 nm 的纳米缝隙，切口处生成羧基官能团并剔除不合格器件；最后选用 0.6 nm 单苯环 1Ph 与 1.0 nm 双苯环 2Ph 两种双氨基分子进行后续研究。

在2026（第五届）中国国际气体分离产业大会上，暨南大学李万斌教授带来了《气体分离微孔膜制备及孔道调控》的报告。报告围绕介孔氧化石墨烯纳米片、超薄低晶度MOF复合膜、MOF玻璃膜以及大面积室温界面结晶，介绍了团队在缩短传质路径、精确调节孔道、消除膜层缺陷和规模化制备方面的系列进展。

多环芳烃液晶分子通过强 π-π 相互作用锚定于石墨烯表面；该改性手段可提升石墨烯与芳纶基体的界面相容性，可有效降低界面热阻（ITR），改善石墨烯在芳纶中的分散性和缺陷填充，且不会破坏石墨烯晶格结构。通过该策略制备的改性石墨烯填料，与芳纶通过共混、真空抽滤、热压工艺制备复合导热薄膜。

在此研究中，作者在转角单层-多层菱方石墨烯中发现了高Chern数轨道磁体，记为(1+n)，其中n=3、4和5。磁输运测量显示，当每个莫尔晶胞中一个和三个电子被极化远离莫尔界面时，会表现出显著的反常霍尔效应。

本实验方案弥补该技术空白，详细介绍大面积单晶铜 (111) 箔制备、单晶铜镍合金箔转化、单晶石墨烯薄膜快速化学气相沉积合成、无损伤电化学转移整套操作流程。这份完整实操指南提供一套易复现、易上手的实验方案，助力科研人员稳定制备高质量单晶石墨烯，推动二维材料基础研究与先进电子器件研发进程。

该类碗状的类双层石墨烯结构通过其独特的层内振荡，有效弱化了层间相互作用，从而实现了自由基在宽温度范围内的卓越稳定性。这些被周期性阵列缺陷所稳定的自由基，构成了本征自由基缺陷态，并通过高效的激子解离与电荷转移机制，实现了明亮的NIR-II区发光。封装后的GQD胶束成功应用于小鼠全身血管、脑部、淋巴结及肿瘤的高分辨率、实时动态成像，展示了其在精准医疗诊断领域的巨大临床转化潜力。

文章详尽总结了自上而下（机械剥离、液相剥离、电化学剥离、氧化还原法）与自下而上（化学气相沉积CVD、外延生长、激光辅助合成）两大制备范式，重点评述了闪速焦耳加热（FJH）、等离子体合成与激光辅助合成等前沿技术的最新进展。在工程化层面，论文深入探讨了CVD大面积薄膜生长、湿法/干法/卷对卷转移技术及界面掺杂与杂化策略对器件性能的决定性作用。在应用层面，作者按能源存储（锂离子电池、锂硫电池、钠/钾离子电池、超级电容器与储氢）、能源转换（燃料电池、太阳能电池、热电材料）与能源收集（摩擦纳米发电机与废热回收）三大板块，全面解析了石墨烯如何通过结构设计与界面工程提升能量密度、功率密度及转换效率。

本文创新提出双催化限域界面化学势调控策略，将两片 Cu (111)/ 蓝宝石单晶衬底面对面堆叠，构建对称双催化密闭反应空间，双向铜催化界面同步消耗气相碳物种，精准压低界面碳化学势，把无单层石墨烯的工艺窗口拓宽近十倍；在中试 CVD 设备单次批次稳定制备二十片 6 英寸无附生单晶石墨烯晶圆，附生畴数量降低四个数量级，同时薄膜转移完整性、电学均匀性大幅提升，室温平均载流迁移率可达 8461 cm²V⁻¹s⁻¹，整片晶圆方阻偏差仅 3%。