纳米带

最近，设计了一种两步生长方法，将ZGNR横向结合到六方氮化硼（hBN）中。在第一步中，通过使用镍纳米颗粒催化切割，沿着锯齿形晶体取向蚀刻hBN表面层中的纳米沟槽。在第二步中，使用化学气相沉积来用碳原子填充这些沟槽，这种方法产生了ZGNR/hBN的面内异质结。先前的计算工作已经确定在这些异质结中存在狄拉克半金属相，其中一个自旋取向是半金属的，而另一个是半导体的。

在六方氮化硼hBN堆叠中，高质量石墨烯纳米带graphene nanoribbons (GNRs) 的无转移直接生长。所生长的嵌入式石墨烯纳米带GNRs表现出了非常理想的特征，即超长（高达0.25mm）、超窄（<5nm）和具有锯齿形边缘的同手性。原子模拟表明，当在AA′-堆叠六方氮化硼hBN层之间滑动时，嵌入生长的潜在机制涉及超低石墨烯纳米带GNR摩擦。

研究通过原位反应实验实现了锂TFSI-醚电解质的锂保护层诱导接枝在石墨烯纳米带（SEI@GNRs）上的天然SEI。

德国马克斯普朗克微结构物理研究所、德累斯顿工业大学的冯新亮院士/马骥博士团队采用一种新型的手性调控策略，通过Yamamoto偶联聚合和随后的Scholl（肖尔）反应，设计合成了一系列带隙和电子输运特性可调的海湾型手性纳米带（cove-edged chiral GNR, CcGNR），同时也揭示了石墨烯纳米带的手性矢量在决定其载流子传输方面的重要作用。

这项研究表明，电场中二维表面上的原子迁移是由一幅不同于电场中带电粒子常用静电描述的图片决定的，因为潜在的键合和分子轨道结构与电迁移力的定义相关。因此，包括原子配体场的扩展模型可以更好地理解非平衡条件下吸附质在表面上的扩散。

针对石墨烯纳米带长度的限制，西班牙巴斯克大学Aurelio Mateo-Alonso课题组取得了突破！他们近期在Chem期刊发文，报道了一种自下而上的方法，成功合成出长度达到35.8纳米的石墨烯纳米带。该长度不仅打破了长度瓶颈，更打破了长度纪录！

瑞士苏黎世联邦理工学院Mickael L. Perrin，瑞士联邦材料科学与技术实验室Michel Calame和Jian Zhang（共同通讯作者）等提出了一种基于双栅FET的方法，允许识别不同的场景，例如单个GNR，平行的双或多个GNRs，以及单个GNR与电荷陷阱相互作用。因此，本文的双栅FET结构为理解原子级精确GNRs中的电荷输运提供了一种定量方法。

在后续研究中，Zhang 和 Perrin 的目标是在单个纳米带上操纵不同的量子态。此外，他们还计划在串联的两条纳米带的基础上创建设备，形成双量子点：这种电路可以作为量子计算机中最小的信息单位——量子比特。

总体而言，该研究展示了在合成分子级石墨烯纳米带方面收敛迭代方法的强大威力，并为设计和合成其他类型可溶性巨型GNRs和纳米石墨烯，以全原子精度揭示其长度和尺寸对性质影响的细节铺平了道路。研究还表明，超长分子级GNRs的光电性能可以与量子点相媲美，可能为 LED、光伏、成像等领域的应用打开大门，而全原子精度带来的控制和再现性在这些性质方面提供了额外的价值。