异质结构

石墨烯与 h-BN 由机械剥离得到，经干法转移叠成 h-BN/石墨烯/h-BN 异质结；电子束曝光后用 CHF3 与 O2 刻出四端弹道整流几何，中心三角散射体两侧各留 110 nm 收窄，Cr/Au 电极厚 3 与 80 nm；左侧蛇形加热条长 60 μm，远大于 5 μm 的器件尺度，保证沿漏源方向建立水平温度梯度；另做霍尔条测得室温平均自由路径为电子 0.530 μm、空穴 0.470 μm，与缝到散射体的距离相当；温差由专用标定器件读出，5 至 15 mA 加热电流对应 0.075 至 0.450 K，即约 12.5 至 75.0 K mm-1。

厦门大学王其星副教授、徐龙副教授，上海交通大学杨胜副教授团队将机械剥离的石墨烯与紫磷薄片经PDMS辅助、在转移台上干法逐层堆叠，构筑石墨烯/紫磷/石墨烯垂直范德华异质结光电探测器，紫磷层厚仅45 nm，载流子输运距离由微米级缩短至纳米级。

本文在 18 K 下用角分辨光电子能谱、低能电子显微镜与密度泛函计算给出石墨烯与 CrSBr 界面的微观图像：石墨烯被约 2×1013 cm-2 的空穴掺杂，CrSBr 的自旋极化导带被填充并使费米能高出 X 谷约 100 meV，界面由此金属化；Γ 与 X 之间至少 75 至 100 meV 的相对移动无法仅由掺杂解释，拉曼给出的约 0.6% 单轴应变与压应变计算共同补齐了这一差额；狄拉克锥约 30 meV 的劈裂样特征与自旋简并解除一致，构成磁近邻的可能证据；应变引起的子格对称性破缺则是另一种来源。

该工作将范德华异质结与自卷曲三维微管相结合，借微腔陷光与应变诱导的能带、缺陷调控，在单器件中复现了视网膜感光细胞与ON型双极细胞的多阶段光响应，突破了传统人工突触功能单一的局限。未来优化衬底与曲率，有望使器件贴合视网膜形态，为仿生神经形态视觉传感器提供新方案。

近日，华南师范大学李述体研究员、高芳亮研究员团队在Advanced Optical Materials上发表研究成果，构筑了由一维GaN/AlN微米线、二维单层石墨烯与三维非故意掺杂GaN组成的混合维度垂直范德华异质结热电子晶体管。

美国南加州大学南加州大学（现香港大学）汪涵教授与南加州大学杨建华教授构建一维能带理论模型指导器件设计，基于石墨烯 / 二硫化钼 / 主隧穿势垒层 / 二硫化钼 / 石墨烯五层范德华异质结，分别以六方氮化硼、硫化镓作为主势垒制备两种隧穿结选择器，实现优异器件性能，并成功集成 1S1R、1S1C 存储单元，验证其作为通用存储选择器的应用潜力。