异质结构

本文系统综述了近年来基于激光光谱和显微技术对石墨烯-半导体异质结中光物理过程与动力学现象的最新进展，旨在为设计和优化下一代高性能光电器件提供思路。

本文的研究结果表明，通过改变石墨烯中热电子的费米分布，栅极偏置可以将从石墨烯转移到MoS2的热电子数量调制数倍。在上述调制中，栅极控制方法有一个上限，本文揭示了这种限制的潜在机制是，在高栅极偏置下，石墨烯的化学势超过MoS2的带边，导致电荷转移的能量势垒增加。结合栅控限制的光热离子发射模型可以很好地再现实验结果。本文的研究证明了栅控方法在调节石墨烯-MoS2异质结中超快电荷转移的作用和基本局限性，为相关光电探测器、太阳能电池和光电器件的发展提供了见解。

本文报道了一种通过机械剥离和干转移方法制备的WS2/石墨烯/MoS2垂直范德华异质结，用于实现快速响应的光电探测器。该研究通过嵌入石墨烯层来优化界面缺陷和提高载流子传输效率，从而提高了光电探测器的响应速度。

该设计利用了在典型莫尔系统——扭曲双层石墨烯与氮化硼异质结构中形成的溶质壁超晶格，成功实现了局部极化子-溶质壁相互作用的开关调节。通过改变局部应变方向，研究人员能够显著调节拓扑和常规溶质态，进而实现极化子与溶质壁之间的可调控交互作用。

这项研究展示了金属-绝缘体-半导体（MIS）二极管在二维vdW异质结构中的潜力，重点是黑磷（BP）、薄六方氮化硼（hBN）和石墨烯（Gr）的组合。

这篇文章报道了在双层石墨烯（BLG）与铬氧氯（CrOCl）异质结构中，通过磁电协同控制实现了非挥发性状态的调控。研究发现，CrOCl的自旋态对BLG的电荷转移和相关性增强的新兴性质有显著影响。通过精确的电容测量技术，观察到了异质结构中电荷状态的惊人迟滞行为，这种迟滞行为仅依赖于磁场调控过程，而与电学调控过程无关，并且可以通过电场调控来关闭，为非挥发性存储提供了新的机制。

研究通过一种简便的静电自组装途径构建了还原氧化石墨烯（rGO）/Ni(OH)2 异质结，其中 Ni(OH)2 纳米片种植在 rGO 基底表面，从而增加了比表面积并加速了电子/离子传输，同时继承了 rGO 出色的循环稳定性。

本研究中，研究人员通过构建WTe2/Gr/Ag异质结构，显著提高了SERS的化学增强效果。通过精确控制材料的能级匹配和界面设计，实现了对CT过程的有效调控，从而增强了SERS信号。此外，利用WTe2的热电性质，通过外部温度变化进一步调节了SERS性能，展现了该材料体系在超灵敏检测技术中的潜力。这项工作不仅为SERS基底材料的设计提供了新思路，也为未来开发新型高效SERS传感器奠定了坚实的基础。

在这项工作中，我们研究了放置在G-hBN多层膜两侧的两个GSCS纳米颗粒之间的NFRHT。通过弱耗散双曲模式，热纳米粒子的能量可以有效地传递给冷纳米粒子。

复旦大学陆叶研究员，周鹏教授和万景研究员（共同通讯作者）等报道了一种由石墨烯/硅异质结漏极和硅沟道组成的垂直亚阈值摆动器件。

通过在石墨烯中引入缺陷，可以显著增强层间电子-声子耦合耗散通道，从而加速能量耗散。具体来说，缺陷提供了反冲动量，使得WS2中的电子与石墨烯中的声子满足动量守恒，从而促进了层间电子-声子耦合的发生。此外，通过建立包含耗散率和摩擦的模型，研究人员定量证明了超快层间电子-声子耦合对摩擦能量耗散的贡献。