CVD

首先，文章概述了铜作为二维单晶材料生长催化剂的独特之处；然后分别展示了不同种类铜表面上石墨烯和六方氮化硼（h-BN）二维晶体的大尺寸生长。随后进一步揭示了二维单晶的生长机理，为深入研究晶体生长动力学提供了依据。最后作者也对目前二维单晶工业化大规模生产的相关问题提出了自己的独到见解，并展望了其广阔的发展前景。

北京大学刘忠范院士和张艳锋研究员团队通过使用射频等离子体增强化学气相沉积（rf-PECVD），在高硼硅玻璃衬底上生长了高质量的垂直取向石墨烯（VG）薄膜。

作者发展了一种基于光电共调制原理的增透掺杂策略，破解了同步提升柔性石墨烯薄膜电导和透光率的难题，从而获得了创纪录的高电/光导率比。采用这种高性能石墨烯柔性薄膜作为透明阳极，成功实现了柔性绿光OLED器件发光效率的大幅提高。其结果表明，增透掺杂为发展高性能柔性石墨烯透明导电薄膜开辟了新途径，也为基于其它碳材料和二维材料的柔性透明导电薄膜研究提供了有益借鉴。

CVD是生长高品质石墨烯的重要方法，已经发展了十年之久。问题在于，石墨烯与生长基地之间结合牢固，导致往往不可避免地产生大量褶皱，极大地影响了石墨烯的最终应用效果。那么，这些褶皱到底对石墨烯性能有多大影响？能否做出没有褶皱的石墨烯呢？

众所周知，通过化学气相沉积（CVD）方式生长的石墨烯薄膜具有独特的理化性质，因此在柔性电子学、高频晶体管等领域具有巨大的应用前景。然而，由于石墨烯与基质材料能够产生强耦合作用，使得石墨烯在生长过程中会形成褶皱。这一现象严重限制了大尺度均一薄膜的制备，阻碍着二维材料的进一步发展应用。