化学气相沉积

  • 浙大薄拯课题组《Carbon》:低温等离子体工艺将CO2和甲烷转化为垂直石墨烯和合成气,有助于碳循环!

    研究展示了一种与行业相关的、可扩展的等离子电气化的卷对卷工艺,以生产垂直石墨烯 (VG),用于从温室气体原料中储存能量和合成气。一轮转化效率约为80%。因为反应性等离子体产生的含氧物种导致CH4有效离解,CO2和CH4的适当混合物的VGs的生长温度从预期的700 °C降低到仅300 °C。

    2022年6月27日 科研进展
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  • 北大刘忠范团队《Nano Res》:冷壁化学气相沉积法制备高质量石墨烯薄膜

    研究展示了一种基于CW-CVD系统批量合成具有毫米尺寸域的高质量石墨烯薄膜的有效方法。随着缺陷密度的降低和性能的改善,收到的石墨烯被证明是电子和防腐应用的有前途的候选材料。该工作为高质量石墨烯薄膜的批量制备提供了新的思路,也为未来石墨烯薄膜的商业化应用提供了良好的材料基础。

    2022年6月23日 科研进展
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  • Nano Letter:通过顺序移动热处理提高在Cu/Ni (111)上生长的石墨烯的结晶度

    近日,韩国科学技术院的Seokwoo Jeon等人报道了一种通过结合Cu / Ni(111)衬底来改善单晶石墨烯生长的合成方法,该方法可有效促进有核石墨烯纳米颗粒的初始排列。

    2022年6月22日
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  • 中科院重庆研究院史浩飞研究员团队 《Adv. Funct. Mater.》 :高质量单层图案化石墨烯的原位生长

    针对这些问题,中科院重庆绿色智能技术研究院提出了一种在铜衬底上原位生长高质量单层石墨烯结构的选择性区域重构(SAR)方法。该方法利用选择性氧化和高温还原技术,可有效调节铜基板的表面特性,从而精确控制定制石墨烯结构的成核和生长行为。所制备的石墨烯结构的特征尺寸小于1 μm,具有很高的单层覆盖率和低的缺陷密度。该方法为直接生长高质量、可扩展、高精度的功能石墨烯结构提供了一种新的方法,有望在光电子应用中发挥潜力。

    2022年6月1日 科研进展
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  • 中科院重庆绿色智能技术研究院微纳制造与系统集成研究中心主任史浩飞: “为国家做出更好的石墨烯材料”

    “最近,我们在非单晶基底外延单晶石墨烯制备上取得了新进展,这是一项重要的突破。”采访中,这位年轻的科学家尽量用通俗语言去讲述研究成果。经过五年努力,史浩飞科研团队在石墨烯材料制备上又取得了突破——今年4月,他们实现了在非单晶基底上生长石墨烯,这将让高质量石墨烯材料的产出更高效、成本更低。

    访谈评论 2022年5月20日
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  • BGI石墨烯薄膜产品介绍

    通用石墨烯薄膜:A3尺寸通用石墨烯薄膜是BGI明星产品之一,采用研究院核心工艺制备而成,生长于铜箔表面,可方便转移至其他功能耐底,具有柔性、透明性、高导电性等特点。单晶石墨烯薄膜:铜箔通过退火制备铜单晶,并在铜单晶衬底上外延生长得到单晶石墨烯薄膜。与多晶石墨烯相比,单晶石墨烯具有更优异的电学性质和力学性质。超洁净石墨烯薄膜:超洁净石墨烯薄膜是BGI洁净生长技术的重点成果,解决了石墨烯高温CVD生长过程中的本征污染的问题,相比于常规CVD石墨烯,具有更高的透光性、迁移率,更低的接触电阻,更快的界面电荷转移性能。

    2022年5月19日
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  • 北大刘忠范院士团队《AFM》:综述-在各种功能绝缘基板上直接PECVD生长石墨烯薄膜的最新进展和应用

    总之,这篇综述文章总结了在各种功能绝缘基板上直接 PECVD 合成 VG 薄膜的最新进展,并讨论了它们在各种有趣领域中的新应用。介绍了增强VG薄膜材料性能的独特技术,例如在刻意的设计产生蚀刻剂的碳前驱体和提高电导率的氮掺杂策略,引入Ti粘附层以增强界面粘附力,以及法拉第笼的开发,用于将石墨烯的生长从面外切换到面内,以实现卓越的透明/导电性能和宏观生长均匀性。这些努力对于促进衍生石墨烯杂化物的高性能实际应用至关重要。

    2022年4月26日 科研进展
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  • 宁波材料所在耐蚀石墨烯薄膜缺陷修复方面取得进展

    近期,中国科学院宁波材料技术与工程研究所海洋实验室苛刻环境材料耦合损伤与延寿团队设计了一种快速、精准修复石墨烯缺陷的方法,可以在15分钟内高效地修复石墨烯上多尺度和多类型缺陷,在提高石墨烯膜层腐蚀防护性能的同时不影响石墨烯优异的导电性能。

    2022年4月21日 科研进展
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  • 石墨烯薄膜转移服务介绍

    我们发展了创新的转移方法,实现了高质量石蛋烯薄膜在柔性衬底上的无损转移。成功研发出“干转移”工艺,转移过程中不涉及水,有效抑制水、氧摻杂。转移后的石墨烯薄膜具有良好的完整性和均匀性。转移后的石墨烯完整度大于95%。我们成功将石墨烯转移到的柔性衬底包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)聚禁二甲酸乙二醇酯(PEN)、全氟磺酸质子交换膜(Nafion膜)、聚偏氟乙烯(PVDF)氧化铟锡(IT0)等材料。

    2022年4月13日
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  • 刘忠范/孙靖宇/魏同波AFM:超平整石墨烯的直接生长

    无褶皱超平整石墨烯薄膜的化学气相沉积(CVD)制备是近年来的研究热点和难点。金属衬底上已发展无褶皱石墨烯的生长方法,然而在绝缘衬底上无转移生长超平整石墨烯尚未报道。基于此,北京大学刘忠范院士课题组与苏州大学能源学院孙靖宇教授课题组近期在Advanced Functional Materials上发表题为“Toward Direct Growth of Ultra-Flat Graphene”的研究论文。

    2022年4月13日 科研进展
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