化学气相沉积
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CVD石墨烯的热应用白皮书
总体而言,CVD石墨烯在热应用中具有广泛的潜力 – 作为加热元件,透明加热器,甚至作为热管理组件。
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纳米级创新:通用石墨烯公司电子书
General Graphene Corporation自成立以来一直与应用无关,相信石墨烯的多功能性可以在几个不同的行业产生影响。General Graphene Corporation利用其对石墨烯的理解,为各行各业的客户提供深入的应用开发支持。
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北京大学刘忠范院士团队综述:气相助剂辅助石墨烯生长
本文综述气相助剂辅助绝缘衬底上石墨烯制备的方法:首先对绝缘衬底上石墨烯的生长行为进行分析;随后着重介绍几类常见的气相助剂辅助石墨烯生长的策略和机理;最后,总结绝缘衬底上制备高品质石墨烯存在的挑战,并对未来的发展方向进行展望。
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苏州大学孙靖宇课题组AS:纳米晶石墨烯皮肤助力稳定的锌金属负极
本工作报道了一种通过化学气相沉积技术在锌箔上直接生长的石墨烯皮肤。这种超薄(20 nm厚度)的“马赛克”状纳米晶烯肤具有较高的电导率,从而保证锌在其上表面沿(002)面取向沉积;同时,生长过程中原位掺入的氮/氧原子有利于锌离子的去溶剂化,加速反应动力学。
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西安交大《Carbon》:晶圆级器件级石墨烯薄膜的表面张力牵引传递方法
本文报告了一种大面积、晶圆级清洁和无损伤的CVD石墨烯转移的STT技术。我们用OM、拉曼光谱、原子力显微镜和XPS来研究转移到衬底上的石墨烯的质量和均匀性。并制作了GFET来评估其电气性能。XPS测量证实石墨烯的组成只有C原子,表明蚀刻溶液。这种低成本、低污染的CVD石墨烯转移技术有望促进CVD石墨烯在电子器件和其他领域的应用。
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刘忠范/孙靖宇AFM:12英寸石墨烯薄膜的无转移批量制备
该制备策略的关键在于构建纳米尺度的限域空间,限域空间内气体形成分子流的流场状态,有助于实现石墨烯薄膜的大面积均匀性。同时,限域空间的构建能够束缚住石英衬底在高温下自身释放的羟基物种。理论计算表明,羟基有助于降低碳源分解的能垒、有利于碳原子在石墨烯边缘拼接,从而促进石墨烯的生长。由此制备的石墨烯具有优异的光学透过率和电学性质。本研究为无转移石墨烯薄膜的批量制备提供了可行方案。
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PlanarTECH即将迎来有史以来最好的一年,为第二轮众筹做准备
我们最近与该公司的首席执行官J. Patrick Frantz进行了交谈,他为我们提供了PlanarTECH的最新业务和技术更新。
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苏大孙靖宇课题组《Adv Sci》:镶嵌式纳米晶体石墨烯层,用于可逆性锌金属阳极
通过使用PECVD在商业锌箔上直接生长N/O共掺杂的纳米结晶石墨烯层,开发了高性能的NOC@Zn阳极。令人鼓舞的是,配备了NOC@Zn阳极的全电池在高速率、低N/P比和弯曲条件下具有显著的循环稳定性。本文的NOC@Zn阳极提供了多功能性和简单性,可能会促进锌金属电池的商业化。
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北京科锐:2022年11月22日,公司第七届董事会第二十二次会议已审议通过《关于转让控股子公司普乐新能源(蚌埠)有限公司全部股权的议案》,股权转让完成后,公司不再持有普乐新能源的股权
普乐新能源目前主营业务是研发、生产、销售基于TOPCon技术开发出的低压化学气相沉积LPCVD等产品设备。LPCVD设备可用于制备氧化硅、氮化硅、多晶硅、碳化硅、氨化镓和石墨烯等薄膜。
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Skoltech的一项新专利:用于柔性透明电子产品的无缺陷石墨烯
通常,石墨烯在临时基板上合成,然后转移到永久性聚合物基板上,根据需要支撑和塑造它。转移是使用可扩展性差的Langmuir-Blodgett方法进行的,该方法容易引起缺陷并损害石墨烯的质量。Skoltech团队提出了一种替代解决方案来解决阻碍石墨烯在柔性透明电子产品中广泛采用的转移问题。