化学气相沉积

通用石墨烯薄膜：A3尺寸通用石墨烯薄膜是BGI明星产品之一，采用研究院核心工艺制备而成，生长于铜箔表面，可方便转移至其他功能耐底，具有柔性、透明性、高导电性等特点。单晶石墨烯薄膜：铜箔通过退火制备铜单晶，并在铜单晶衬底上外延生长得到单晶石墨烯薄膜。与多晶石墨烯相比，单晶石墨烯具有更优异的电学性质和力学性质。超洁净石墨烯薄膜：超洁净石墨烯薄膜是BGI洁净生长技术的重点成果，解决了石墨烯高温CVD生长过程中的本征污染的问题，相比于常规CVD石墨烯，具有更高的透光性、迁移率，更低的接触电阻，更快的界面电荷转移性能。

我们发展了创新的转移方法，实现了高质量石蛋烯薄膜在柔性衬底上的无损转移。成功研发出“干转移”工艺，转移过程中不涉及水，有效抑制水、氧摻杂。转移后的石墨烯薄膜具有良好的完整性和均匀性。转移后的石墨烯完整度大于95%。我们成功将石墨烯转移到的柔性衬底包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）聚禁二甲酸乙二醇酯（PEN）、全氟磺酸质子交换膜(Nafion膜）、聚偏氟乙烯（PVDF）氧化铟锡(IT0）等材料。

Paragraf实现将石墨烯直接生成在半导体基板上的技术，减少转移程序节省时间，没有铜金属基底和刻蚀液的消耗，避免产生废液污染环境，最重要的是生产的石墨烯表现出高度的结构完整性，确保了石墨烯电子设备的出色性能。

大多数基于石墨烯的电气器件都需要绝缘支撑。另一方面，用于工业用途的石墨烯薄膜通常在金属基板上生成，如铜箔，然后被移动到用于器件制造的绝缘支撑。这种技术可以将污染物引入小工具中，从而降低其性能。在绝缘载体上开发石墨烯的尝试未能产生所需的高质量单晶。

北京石墨烯研究院（BGI）转移的石墨烯薄膜在表面粗糙度、结构完整性、光电性能及其均一性等方面均远优于一般转移的样品。在此基础上，北京石墨烯研究院（BGI）与某上市公司合作开发出了适用于总有机碳分析仪的高品质石墨烯分离膜，有望打破该行业国外垄断。

北京石墨烯研究院（BGI）多年攻关、潜心耕耘，研发出一种高性能石墨烯水氧阻隔膜。该阻隔膜具备良好的可弯曲性，水蒸气透过率和氧透过率超出常规阻隔膜标准。

采用电弧熔炼法制备FeCoNiCu0.25合金铸锭，塑性变形、切割、预处理和退火后得到合金薄片，作为CVD生长石墨烯薄膜的基底，并进行了生长机理探讨。

利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统，它由管式炉，质量流量控制系统和真空控制系统组成。适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、石墨烯材料生长、二维材料生长、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。