化学气相沉积
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重庆绿色智能技术研究院事业单位法人年度报告(2022年度)
发展了基于孪晶衬底的高质量单晶石墨烯制备技术。成功制备了出晶圆级单晶石墨烯薄膜,转移后的单晶石墨烯载流子迁移率超过28000 cm2/(V•s),打破了长期以来利用单晶衬底生长单晶材料的局限,扩展了对材料外延基础理论的认识; 建立了石墨烯材料在光电材料领域应用的技术体系,实现了红外探测等器件应用验证;
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Adv. Mater.:刘忠范院士-彭海琳教授-林立研究员课题组报道快速、规模化石墨烯晶圆转移方法
该方法的特点是对铜晶圆表面进行均匀氧化,并旋涂聚双酚A碳酸脂(PC)以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为转移媒介将石墨烯与铜晶圆机械“干法”分离,之后采用高分子共混策略实现石墨烯与目标衬底的无损动态辊压贴合,并在转移媒介中再混合低玻璃化转变温度的聚碳酸亚丙酯(PPC)促进石墨烯与目标衬底的共形接触,最终利用有机溶剂去除高分子转移媒介。
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ACS Nano:双层石墨烯微观结构对WSe2覆层成核的影响
在过去的几年里,化学气相沉积(CVD)生长的石墨烯作为过渡金属硫族化合物(TMD)覆层的模板得到了突出的发展。由此产生的2D TMD/石墨烯垂直异质结对光电和能源应用具有吸引力。然而,CVD生长的石墨烯的微观结构非均质性对TMD覆层生长的影响相对未知。
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Nano Res.[碳]│北京大学/北京石墨烯研究院刘忠范—孙禄钊课题组:二聚体碳源前驱体快速生长石墨烯薄膜
本工作从碳源选择和石墨烯生长基元步骤设计出发,总结了乙炔(C2H2)和CH4前驱体生长石墨烯的行为和规律:与CH4碳源不同,C2H2碳源裂解后优先在铜箔上游沉积石墨烯,且表现出明显的生长速率优势。
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新材料产业化破局:石墨烯产业如何从实验室走向商用丨“我们共成长”小微企业高质量发展调研走访
CVD法成为烯旺科技的核心技术。通过CVD法制得石墨烯透明薄膜,并经过电极设计和绝缘封装设计开发成柔性透明电热膜,实现了石墨烯下游应用产品的规模化生产。这是石墨烯发热膜的基础,使得这种新材料从实验室走向产品应用之路。
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Hememics Biotechnologies, Inc.与General Graphene Corporation就大规模生产基于石墨烯的生物传感器达成战略合作伙伴关系
仅在过去的九个月里,Hememics就与General Graphene Corporation合作,制造了超过10万个石墨烯生物传感器。Hememics利用其专利的检测生物学干燥技术,通过大量分子和抗原测试对这些生物传感器进行了功能化和测试,以在低皮摩尔范围内的一致灵敏度检测SEB和蓖麻毒素,并在5分钟内获得结果。
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什么是CVD石墨烯?
CVD石墨烯是通过化学气相沉积法生产的,化学气相沉积法涉及将金属基材放入炉中并将烃源插入高温(~1000°C)反应室。在高温下,烃类气源分解成单个碳原子并与金属表面结合,然后,当原子结合在一起时,它们形成连续的单原子厚石墨烯膜。CVD工艺的主要优势之一是能够创建单层或多层石墨烯片,并在气体流速,温度和暴露时间等条件下控制层厚度。
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Graphene Square Electronics为其Kitchen Styler发起众筹活动
根据Graphene Square Electronics的说法,它是“第一个也是唯一一个使用石墨烯作为唯一热源的设备”。据说在其设计中使用了CVD石墨烯。
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超越极限:工业级 CVD 石墨烯
《超越极限:工业级 CVD 石墨烯》介绍了General Graphene Corporation自成立以来取得的最新进展,包括关键技术发展里程碑、CVD 石墨烯生长和转移能力以及 CVD 石墨烯材料产品目录。此外,还讨论了关键应用开发领域,以说明 CVD 石墨烯的潜力,并强调其在生物传感器、热(加热和热管理)、电磁屏蔽和细胞治疗生物支架等领域的独特价值主张。
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实现有意义的CVD石墨烯研发
意识到这些条件,General Graphene公司将自己完全置于一条完全不同的道路上,目标是实现可扩展的工业规模CVD石墨烯生产。与在真空下运行的传统CVD石英管式炉不同,我们将CVD石墨烯生产系统设计为在大气条件下运行,从而有助于降低合成CVD石墨烯的成本和时间。
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CVD石墨烯生物传感器白皮书
石墨烯具有几个独特的特性和特性,使其非常适合用于基于FET的生物传感器。特性和特征包括生物相容性、大的表面体积比、近乎无限的功能化潜力和高场效应的流动性。使用GFET制造的生物传感器设备是一个方便的平台,为医疗保健的数字化提供了一个缺失的环节。
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国际首创!首个通过化学气相沉积法生产三维石墨烯粉体项目在陕西神木实现工业化量产
我们抛弃了以石墨为原料生产石墨烯的方法,而是以化学气相沉积法(CVD)来生产石墨烯。公司经过多年的研发,实现了国际首个且是唯一一个通过化学气相沉积法实现工业化,千吨级,低成本生产高质量(100%)石墨烯粉体的生产。从根本上解决了石墨烯粉体的质量、产量、成本以及石墨烯下游应用过程中的诸多问题。
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山东大学光学晶体材料国家重点实验室Fapeng Yu和Xian Zhao等–CVD法生长石墨烯过程中铜阶梯束的演化
采用化学气相沉积法(CVD)生长石墨烯时,常见的产物是铜阶梯束(CSBs),其对石墨烯的质量有显著影响。虽然在Cu上制备大面积石墨烯方面已经取得了相当大的进展,但CSBs的生长行为尚未完全了解。研究了石墨烯与铜箔间热应力引起CSBs的主要影响因素。
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卷对卷CVD石墨烯聚合物复合材料的突破
我们的CVD石墨烯生产和转移系统都已配置为支持在PMMA、EVA、PI等各种聚合物上开发大面积卷对卷CVD石墨烯薄膜。General Graphene在CVD石墨烯的卷对卷合成和转移方面的进步代表了前所未有的突破,并为以大容量和低成本开发CVD石墨烯聚合物复合材料铺平了道路。为了提供一些背景,在与传感器应用兼容的聚合物上使用CVD石墨烯的单位成本从几美元增加到一小部分美元——代表了CVD石墨烯聚合物复合材料商业化的范式转变。