刘开辉
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北京大学刘开辉课题组在高指数单晶铜箔制造方向上取得重要进展
2020年5月27日,北京大学物理学院刘开辉研究员、王恩哥院士与南方科技大学俞大鹏院士、韩国蔚山科学技术院丁峰教授等合作在高指数单晶铜箔制造方向上取得重要进展。研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制,在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。相关研究成果以“Seeded growth of large single-crystal copper foils with high-index facets”为题在线发表在《自然》杂志上。
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Adv. Mater.:相称的石墨烯涂层对铜的耐腐蚀性的增强作用
近日,北京大学刘开辉研究员、江颖研究员和韩国基础研究院丁峰教授(共同通讯作者)等人采用石墨烯涂覆的Cu来研究金属的平面依附性防腐蚀性能,并进一步解决了石墨烯抗蚀能力的矛盾,通过相应的石墨烯涂层为超高性金属的防腐开辟了新契机。
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我国科学家把石墨烯单晶的生长速度提高了150倍
刘开辉课题组利用CVD(气相沉积法)在1000oC左右热解甲烷气体,把多晶铜衬底上石墨烯单晶的生长速度提高了150倍,达到60μm/s。这项重要突破的核心是把多晶铜片放置于氧化物衬底上(两者之间的间隙约为15μm)。
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物理学院研究团队把石墨烯单晶的生长速度提高了150倍
刘开辉研究员带领研究生与合作者们一起,利用CVD方法在1000oC左右热解甲烷气体,把多晶铜衬底上石墨烯单晶的生长速度提高了150倍,达到60μm/s。
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Nat.Nanotech. 中国学者将单晶石墨烯生长速率提高三个数量级!
北京大学的刘开辉研究员(通讯作者)、彭海琳教授(通讯作者),香港理工大学的丁峰副教授(通讯作者)等人利用连续供氧辅助化学气相沉积法在铜箔上合成单晶石墨烯,将石墨烯的生长速率提高到了60μm s–1。