化学气相沉积
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维萨里安公司 （“Versarien”、“公司”或“集团”） 韩国资产出售和知识产权许可
MCK Tech 首席执行官 Seungmin Cho 博士评论道：“收购 CVD 石墨烯生产设备是垂直整合 CVD 石墨烯制造和开发应用的战略举措。确保资产安全和知识产权授权将帮助我们成为更可靠的材料供应商为我们尊贵的客户服务，使我们能够缩短应用开发周期，提供涵盖 IT、军事和医疗保健行业的新型 CVD 石墨烯应用。随着我们收购三星 Techwin 和韩华宇航的传统，我们正在以他们的开拓性工作为基础，最重要的是，MCK Tech很高兴与著名的石墨烯公司Versarien建立牢固的合作关系，并期待在未来几年在CVD石墨烯以及石墨烯薄片的商业化方面进行合作。 ”
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北京石墨烯研究院刘忠范院士-苏州大学能源学院张金灿教授联合博士后招聘启事
研究方向：1. 石墨烯材料的CVD制备及性能探索。2. 氢能制造、存储、输运与利用关键材料与器件。3. 碳基能源材料与器件的高分辨原位电镜和谱学表征。
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Adv. Mater.:晶圆级单晶石墨烯在Cu（111）单晶衬底上的可控制备
本工作报道了单晶度约为95%的4英寸蓝宝石上Cu(111)晶圆的制造。在温度梯度退火下实现了具有多晶织构的铜的异常晶粒生长，消除了面内孪晶界并伴随面外晶界的迁移。单晶Cu(111)晶圆的出现使得石墨烯的生长能够提高结晶度（>97%）。生长的4英寸单晶石墨烯晶在约290 K下测量时表现出平均迁移率约7284 cm2 V-1 s-1以及偏差约5%的均匀薄层电阻，为高质量的受控合成铺平了道路。
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Nano Res.[合成]│华南师范大学徐小志课题组：AB堆垛双层石墨烯单晶生长
华南师范大学徐小志课题组针对AB堆垛的双层石墨烯目前存在的随机成核问题，提出了一种在Cu/Ni（111）箔上制备AB堆垛双层石墨烯单晶薄膜的方法。采用一种耐热盒辅助策略有效消除了Cu/Ni（111）表面上的颗粒，大大减少了随机扭曲岛和无法控制的多层的发生。
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Adv. Mater.液态铜上原位生长高质量单晶转角双层石墨烯
本工作不仅给出了利用空间受限CVD方法合成单晶TBG的简便途径，液态铜基板优异的流动性和低粘度特性也为在其表面制造其他扭转的二维材料和对齐的TBG阵列提供了更多可能性。
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中信证券股份有限公司关于深圳市纳设智能装备股份有限公司的辅导备案公告
2023年12月27日，中信证券与纳设智能签署辅导协议。2023年12月29日，纳设智能向中国证券监督管理委员会深圳监管局报送辅导备案申请材料并于2024年1月3日获得受理。中信证券已根据相关法律法规制订了相应的辅导计划及实施方案。截至目前，中信证券对纳设智能的上市辅导工作仍在进行中。
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能源的未来看起来很蓝
“不可能亲眼看到反应堆容器的内部并观察加热、混合、分离和沉积等过程，”沙纳指出。“所以我们需要在虚拟环境中模拟这个复杂的过程，使其可见。自C-Zero成立以来，Ansys在帮助我们了解和了解甲烷热解反应器的流动、热和机械特性方面发挥了关键作用，这是我们公司价值主张的核心。”
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解决 CVD 石墨烯转移工艺中的挑战
通过解决与传统转移工艺相关的挑战并开发直接解决商业化历史瓶颈的新技术，General Graphene 成功展示了一条工业规模制造转移到聚合物的大面积卷对卷 CVD 石墨烯薄膜的道路。
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利用 CVD 技术最大限度提高石墨烯质量
General Graphene Corporation 为能够为其合作伙伴提供扩大 CVD 石墨烯应用开发研发的途径而感到自豪。作为一群问题解决者，我们致力于应对挑战，帮助我们的客户成功有效地使用我们的材料来开发新技术和产品。凭借我们的技术，我们可以提供在各种应用和行业中大规模使用大面积 CVD 石墨烯薄膜的路线图。
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Nano Res.[碳]│中国石油大学（华东）曹宁团队:无外加碳源石墨烯在镀铜废钢上的CVD生长
得益于独一无二的自供碳衬底，在本研究中石墨烯的生长遵循新的机制——析出机制。将固态相变原理与经典CVD制备石墨烯的理论相结合，根据渗碳体在不同温度下的稳定性不同的特点，提出了还原机制和分解机制。
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加利福尼亚大学洛杉矶分校Timothy S. Fisher等–太阳热化学气相沉积制备高质量AB双层石墨烯薄膜
这项工作报告了使用近似太阳光谱的高通量太阳模拟器和冷壁化学气相沉积反应器来演示石墨烯生长的可再生能源过程。通过一步工艺和5分钟的短时间，在商业多晶铜上合成了覆盖率超过90%的高质量（ID/IG=0.13）AB堆叠双层石墨烯。
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重庆绿色智能技术研究院事业单位法人年度报告（2022年度）
发展了基于孪晶衬底的高质量单晶石墨烯制备技术。成功制备了出晶圆级单晶石墨烯薄膜，转移后的单晶石墨烯载流子迁移率超过28000 cm2/（V•s），打破了长期以来利用单晶衬底生长单晶材料的局限，扩展了对材料外延基础理论的认识； 建立了石墨烯材料在光电材料领域应用的技术体系，实现了红外探测等器件应用验证；
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Adv. Mater.：刘忠范院士-彭海琳教授-林立研究员课题组报道快速、规模化石墨烯晶圆转移方法
该方法的特点是对铜晶圆表面进行均匀氧化，并旋涂聚双酚A碳酸脂（PC)以及聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)作为转移媒介将石墨烯与铜晶圆机械“干法”分离，之后采用高分子共混策略实现石墨烯与目标衬底的无损动态辊压贴合，并在转移媒介中再混合低玻璃化转变温度的聚碳酸亚丙酯（PPC）促进石墨烯与目标衬底的共形接触，最终利用有机溶剂去除高分子转移媒介。
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ACS Nano：双层石墨烯微观结构对WSe2覆层成核的影响
在过去的几年里，化学气相沉积(CVD)生长的石墨烯作为过渡金属硫族化合物(TMD)覆层的模板得到了突出的发展。由此产生的2D TMD/石墨烯垂直异质结对光电和能源应用具有吸引力。然而，CVD生长的石墨烯的微观结构非均质性对TMD覆层生长的影响相对未知。
![Nano Res.[碳]│中国石油大学（华东）曹宁团队:无外加碳源石墨烯在镀铜废钢上的CVD生长](http://www.graphene.tv/wp-content/themes/justnews/themer/assets/images/lazy.png)