科研进展

研究通过两步煅烧策略将纳米多孔 K₃PW₁₂O₄₀（KPW）原位生长在三维碳布@还原氧化石墨烯（CC@RGO）导电基底上，构筑了 POM 基宿主催化材料（CC@RGO/KPW-A）。

研究团队设计了一种全二维神经形态器件：以CuInP2S6为离子栅控层，h-BN为电子阻挡层，WS2为沟道，石墨烯为栅极电极。

该研究建立了Clar’s goblet型纳米石墨烯中结构拓展方式、自由基形成机制与多体磁性之间的构效关系，提出了一种自旋数目可调的多自由基纳米石墨烯设计策略，并揭示了多体自旋态对局域磁性扰动的差异化响应机制。相关结果为在分子尺度探索关联量子磁性以及发展高可靠性分子量子比特提供了新的材料平台和研究思路。

研究利用微波激发氮等离子体，通过调节C2H2/H2气体比例，实现了高质量亚微米级石墨烯（SSG）的可扩展合成。

美国加州大学圣塔芭芭拉分校Kaustav Banerjee教授作题为《Atoms to Architectures: 2D Materials for Energy-Efficient Nanoelectronics》的大会报告，报告从纳米物理视角阐述了石墨烯和过渡金属硫族化合物等二维材料如何突破传统硅‑铜技术的尺寸极限，提出了面向工业化的二维晶体管和插层石墨烯互连方案，相关进展已被纳入先进工艺路线图并推动产业化。

团队采用石墨栅、hBN 全封装的石墨烯自旋阀结构，以三层 hBN 作为隧穿势垒，构成范德华自旋阀架构。所有二维晶体的解理与逐层堆叠均在惰性手套箱内完成；组装后在 135 °C 下通过三次“熨烫”式层压挤出界面气泡，再经氯仿浸泡、热丙酮清洗，并在高真空下 340 °C 退火 6 小时去除聚合物残留，最后沉积 35 nm Co / 10 nm Ti 铁磁电极。

平台由两个相对的叉指换能器(IDT)构成,用于在 PMN–PT 表面激发和接收 SAW;每个 IDT 含 10 对指、金属化比 50%,由 100 nm 厚钼(Mo)电极图案化而成,指间距为 10 或 15 μm,对应孔径 200 与 300 μm。单层石墨烯转移到两 IDT 之间长 300 μm 的耦合区,两端搭在直流读出电极上;衬底为 500 μm 厚、PT 含量约 30–31% 的 (111)-cut PMN–PT。测得石墨烯室温霍尔迁移率为 400.4 cm²/(V·s),膜电阻在 1.3–2.3 kΩ 之间。

在本研究中，成功制备了一种基于还原氧化石墨烯和氧化镍钴复合薄膜的柔性气体传感器，用于高效检测三乙胺（TEA）。NiCo₂O₄与rGO的结合协同增强了传感器的电导率、表面反应性和结构柔韧性。复合薄膜多孔片状结构为气体吸附和电荷转移提供了丰富的活性位点，从而实现了超快的响应/恢复时间（在50 ppm TEA浓度下分别为4/19 s）和宽广的线性检测范围（1–200 ppm）。

研究基于经还原氧化石墨烯（RGO）改性的铝硅酸盐陶瓷纤维的多孔无纺复合材料的开发与表征，该材料适用于电磁屏蔽和红外隐身应用。