科研进展

碳纤维增强聚合物(CFRP)复合材料的阻尼性能在许多工程领域中起着至关重要的作用。本文的目的是研究如何通过二维多层氧化石墨烯(GO)的界面滑动来改善CFRP复合材料的阻尼性能。

随着集成电子器件的封装密度不断增长，足够的散热成为一项严峻的挑战。最近，具有高导热性的介电材料已经深入了解了电子器件中废热的有效散发，以防止它们过热并保证性能稳定性。层状CrOCl是一种具有低对称性晶体结构和原子级平坦度的反铁磁绝缘体，可能是应对热挑战的有希望解决方案。

在这里本文发现，在具有非六边形环的2D碳同素异形体中，通过考虑电子 – 声子（el-ph）散射计算的电子热导率（κe）是最重要的。大κe补偿了κph的下降，这里计算的不仅是三声子（3ph），还包括四声子（4ph）和声子-电子（pe）散射。后一种贡献被其他方法所忽视，但最近它被证明会引起石墨烯， MoO3，和BeN4中κph的强抑制。

外部刺激例如电场的应用，可以促进气体分离。采用分子动力学(MD)模拟方法分析了动态电场促进H2O/O2气体分子在双层纳米多孔氧化石墨烯膜上的分离过程。

在这项工作中，证明了通过 PECVD 方法在基板上直接生长 VGN。这些发现为开发用于 EMI 屏蔽（包括数据通信、微电子设备和航空航天）的 VGN 及其复合材料铺平了道路。

本文在石墨烯上获得了均匀分散的USTB-6纳米片，有效提高了COF基电极的电子传导性。这种石墨烯支撑的USTB-6纳米片正极用于锂离子电池，表现出较高的比容量和优异的长循环性能。

近日，五邑大学Jian Yang，南方科技大学Terry Tao Ye，香港中文大学Zhaoli Gao等人开发了一种可穿戴的Na+传感器，利用CVD生长的梯度多孔石墨烯衬底作为疏水固体接触层，以增强离子到电子的转换并最大限度地减少水层的形成。

我们表明，与常规石墨烯相比，嵌入的缺陷与铜表面的键合和电子转移增强。使用分子模型对这些发现进行了实验证实，其中天青芘模拟了 S-W 缺陷，而其异构体芘代表了理想的石墨烯结构。实验相互作用能、电子结构分析和吸附距离差异定量地证实了缺陷控制键合。我们的研究揭示了缺陷对石墨烯/金属界面电子耦合的重要作用，并表明拓扑缺陷工程可用于性能控制。

重点根据2D材料的特性、结构和器件集成方式对石墨烯基、类石墨烯基、过渡族硫化物基、主族金属硫化物基、合金和异质结基、以及压电/摩擦电驱动的晶体管基自供电传感器进行了详细介绍。同时对其在人体运动感知、能量收集、生物医学、环境监测和人工智能等方面的应用进行了总结和概括。