科研进展

该工作表明，限制CVD石墨烯电化学性能的主导因素并非石墨烯晶格本身，而是合成过程中引入的无定形碳污染；在生长环节消除微量氧，即可让CVD石墨烯展现出与剥离石墨烯相当的本征电化学行为。无氧CVD石墨烯兼具快速的电子转移、更低的检测限与宽浓度范围内的峰电位稳定性，并与微电极阵列构型兼容，为可靠的石墨烯电化学传感平台乃至生命探测仪器提供了一条明确的材料路线。

该研究工作通过实验研究了在分子夹层范德华结构中，第二个直接分子-二维材料界面如何改变化学拉曼增强。结果表明，添加第二个接触可以根据两个界面的电子特性以及电荷转移贡献与附加阻尼之间的平衡，重新分配、限制或增强拉曼响应。不对称的TiS2和TiSe2夹层结构揭示了不等同界面以不同方式重塑拉曼响应；近对称石墨烯/CuPc/石墨烯结构则表现出最强的增强，并伴随明显的激发波长依赖性。

石墨烯因 ~5300 W·m⁻¹·K⁻¹ 的面内热导率和”声子主导导热”特性，自然成为热界面与热扩散候选。但宏观器件里还要过三关：残余界面热阻、取向组装工艺、规模化成本。这篇综述的价值，是把声子物理和工程设计串成一条链，而不是各讲一半。

填料经聚多巴胺（PDA）表面修饰，以改善分散性和界面相容性。通过PDMS真空浸渗，制备了具有垂直取向结构并表现出高导热性的B-PDA-G-PVA/PDMS复合材料。所得B-PDA-G-PVA/PDMS复合材料表现出显著的各向异性热传输行为。在8 wt%的低填料含量下，其贯通面热导率达到2.51 W/(m·K)，显著高于随机分布复合材料和纯PDMS，同时保持1.08×10^12 Ω·cm的高体积电阻率。

器件用干法转移制备，将机械剥离的石墨烯与六方氮化硼转移到 SiO2/Si 衬底上，转角用 θ 台瞄准 1.55°，整个流程在 180 °C 以下完成以避免层间弛豫，其中六方氮化硼在 90 °C 拾取、石墨烯在 35 °C 及以下拾取、在 180 °C 释放；霍尔条、约瑟夫森结与 SQUID 图形用电子束光刻定义并以反应离子刻蚀形成边缘接触，电极依次沉积 Ti/Pd/Al，其中 6 nm 的 Ti 与 Pd 作为正常金属层构成超导-正常金属-超导结。

团队把单层石墨烯封装在六方氮化硼薄片之间，制成 Corbino 环形器件，直接测量体电导。器件横向尺寸为 7.5 × 10 μm²，在 9 T 磁场和约 20 mK 温度下，分别施加直流偏压和最高达 10 GHz 的射频激励。结果显示，直流、射频与升温三者造成的击穿图景相同，击穿曲线的形状和标度与频率无关。较小的自旋能隙在偏压低于 1 mV 时即已消失，较大的回旋能隙则在高达 50 mV 的偏压下仍保持绝缘。

本工作采用第一性原理计算，系统探究了沿zigzag和armchair两个方向施加单轴压缩应变时，石墨烯的微观结构演化、电子特性以及碱金属储能行为。研究发现，压缩应变与碱金属吸附存在显著耦合效应，并归纳出三类由应变‑吸附协同驱动的曲率活化机制。