量子点

本文提出了一种简单有效的一步合成法，在球磨过程中利用GQDs作为剥离剂来合成和功能化近原子层的MoS2纳米片（ALMS）。这种无溶剂方法展现了显著的优势，包括大规模生产的可扩展性、高产率以及消除对苛刻反应要求的需求，如，有机溶剂、催化剂或真空环境。

近期，西安理工大学材料学院新型微观结构复合材料的可控制备和先进能量转换存储器件创新团队杨蓉教授将石墨烯量子点(GQDs)作为亲硫-亲锂介质引入到静电纺丝纳米纤维修饰聚丙烯(PP)功能化隔膜中，以协同解决硫正极和锂负极的问题，提高锂硫电池的循环稳定性和寿命。

基于此，清华大学曹化强教授和加州大学圣芭芭拉分校Anthony K Cheetham院士及其团队由自上而下的方法合成了非闪烁荧光的单负电荷GQDs。此外，通过进一步的探索、分析和理论计算，解释了GQDs的非闪烁荧光机制。由于GQDs的HD小于5.5 nm，这使得它们能在生物成像中作为荧光标记试剂。

未来，课题组打算将该研究扩展到其他荧光非闪烁量子点。除了石墨烯量子点外，其他荧光非闪烁量子点能否实现在单颗粒层面上的光催化反应，并用于鉴别荧光源于单个孤立的颗粒？这还需要进一步的验证。前不久，他们已经完成了前期的基础实验。此外，该团队也将探索石墨烯量子点荧光闪烁的机理。

这项研究揭示了一种基于等离子体金属/QD混合物的成功的单激光触发的协同组合TP-PDT/PTT，具有在临床环境中进行未来研究的潜力。

南京农业大学资源与环境科学学院高彦征教授课题组以ARGs传播主要方式之一—基因水平转移为着眼点，揭示了GQDs对胞外ARGs水平转移进入细菌的影响

1.提出一种基于全溶液法制备GQDs-InGaO薄膜晶体管。2.GQDs有助于提高InGaO薄膜晶体管的电学性能。3.GQDs-InGaO薄膜晶体管具有良好的偏压稳定性和偏压光照稳定性。

这种2D石墨烯/0D量子点异质结显示出高性能纳米级光电器件的应用前景。

量子点结构牢固的锚定在石墨烯片层上，不仅增强了结构稳定性，而且改善了导电性，从而加速了离子传输和电荷迁移。良好的结构特性赋予了电极材料更好的电化学表现，所合成的NiFe2O4QD/G复合电极材料表现出优异的电容性能（1 A g-1时比电容达到697.5 F g-1，10 A g-1时比电容为501.0 F g-1，1万次循环后比电容没有明显衰减 ）。

本研究为高效碳基催化剂的设计和制备提供了分子水平的调控方法。