成果介绍
由于表面载流子损耗增加，高量子效率纳米器件的制备具有挑战性。低维材料如0D量子点和2D材料已被广泛研究以减轻损耗。
有鉴于此，近日，韩国科学技术研究院Daehwan Jung等展示了石墨烯/III-V量子点混维异质结的强光致发光增强。与仅量子点结构相比，2D/0D杂化结构中石墨烯与量子点之间的距离决定了辐射载流子复合增强的程度从80%到800%。当距离从50 nm减小到10 nm时，时间分辨的光致发光衰减也显示出载流子寿命增加。研究认为，量子点的光学增强是由于能量、弯曲和空穴载流子转移，它们修复了量子点中电子和空穴载流子密度的不平衡。这种2D石墨烯/0D量子点异质结显示出高性能纳米级光电器件的应用前景。
图文导读
图1. 石墨烯/InAs量子点混维异质结。
图2. 石墨烯/量子点异质结的室温光致发光。
图3. 石墨烯/量子点异质结的能带对齐示意图。
图4. 室温时间分辨的光致发光测量。
图5. 石墨烯快速热退火(RTA)条件下具有10 nm GaAs样品石墨烯/量子点混维异质结。
文献信息
Graphene/III-V Quantum Dot Mixed-Dimensional Heterostructure for Enhanced Radiative Recombinations via Hole Carrier Transfer
(Nano Lett., 2023, DOI:10.1021/acs.nanolett.3c00321)
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c00321
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