化学气相沉积

本工作从碳源选择和石墨烯生长基元步骤设计出发，总结了乙炔（C2H2）和CH4前驱体生长石墨烯的行为和规律：与CH4碳源不同，C2H2碳源裂解后优先在铜箔上游沉积石墨烯，且表现出明显的生长速率优势。

CVD法成为烯旺科技的核心技术。通过CVD法制得石墨烯透明薄膜，并经过电极设计和绝缘封装设计开发成柔性透明电热膜，实现了石墨烯下游应用产品的规模化生产。这是石墨烯发热膜的基础，使得这种新材料从实验室走向产品应用之路。

仅在过去的九个月里，Hememics就与General Graphene Corporation合作，制造了超过10万个石墨烯生物传感器。Hememics利用其专利的检测生物学干燥技术，通过大量分子和抗原测试对这些生物传感器进行了功能化和测试，以在低皮摩尔范围内的一致灵敏度检测SEB和蓖麻毒素，并在5分钟内获得结果。

根据Graphene Square Electronics的说法，它是“第一个也是唯一一个使用石墨烯作为唯一热源的设备”。据说在其设计中使用了CVD石墨烯。

《超越极限：工业级 CVD 石墨烯》介绍了General Graphene Corporation自成立以来取得的最新进展，包括关键技术发展里程碑、CVD 石墨烯生长和转移能力以及 CVD 石墨烯材料产品目录。此外，还讨论了关键应用开发领域，以说明 CVD 石墨烯的潜力，并强调其在生物传感器、热（加热和热管理）、电磁屏蔽和细胞治疗生物支架等领域的独特价值主张。

意识到这些条件，General Graphene公司将自己完全置于一条完全不同的道路上，目标是实现可扩展的工业规模CVD石墨烯生产。与在真空下运行的传统CVD石英管式炉不同，我们将CVD石墨烯生产系统设计为在大气条件下运行，从而有助于降低合成CVD石墨烯的成本和时间。

我们的CVD石墨烯生产和转移系统都已配置为支持在PMMA、EVA、PI等各种聚合物上开发大面积卷对卷CVD石墨烯薄膜。General Graphene在CVD石墨烯的卷对卷合成和转移方面的进步代表了前所未有的突破，并为以大容量和低成本开发CVD石墨烯聚合物复合材料铺平了道路。为了提供一些背景，在与传感器应用兼容的聚合物上使用CVD石墨烯的单位成本从几美元增加到一小部分美元——代表了CVD石墨烯聚合物复合材料商业化的范式转变。

该工作利用一种环状芳香分子（1,8二溴代B、N杂萘）作为前驱体，选用化学气相沉积方法，将金属衬底的温度作为主要调控参数，精确调控分子源热裂解程度及样品的成核生长，得到了不同结构无序度的二维非晶碳（AMC）样品。研究人员进一步利用电子衍射和扫描透射电子显微技术揭示了AMC的原子结构，系统分析了AMC中程序差异和原子结构的温度依赖特性。

最近发表在ACS Nano杂志上的一项研究通过设计一种同时优化生长和转移过程的方法来关注这个问题。研究结果表明，当仔细选择生长表面的晶体取向时，可以实现石墨烯的高产干转移。