科研进展

报告了使用市售的金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统，以可批量生产、无污染和无转移的方式在蓝宝石晶圆上直接生长高质量单层石墨烯。利用这种方法，基于石墨烯电极的忆阻器被开发出来，并且在包含石墨烯电极的器件制造中使用的所有工艺都可以在晶圆规模上进行。

综上所述，这项工作报告了一种三功能 G-SHELL 电催化剂，它是一种在石墨烯上生产的异质结嵌入式层状金属卤化物。

本综述从界面热阻出发，探讨了目前TIMs的理论科学基础，强调了界面热阻对改善界面导热的重要性。另外，进一步从材料的角度进行了详细的综述，重点介绍了TIMs的结构、组成以及热源和热沉的相互作用。文章指出有两种主要的途径来改善通过界面的传热：一是通过加入导热填料、增强界面结构和表面改性处理技术等策略来降低TIM的本征热阻(RTIM)；二是通过改善有效界面接触，加强键合，利用质量梯度结构提高振动匹配，从而降低接触热阻(Rc)。

概念验证实验结果显示，在一个16平方微米的MATBG器件中，单个红外光子的吸收能够完全破坏超导态。这一发现不仅揭示了MATBG与光子的相互作用机制，还为使用莫尔超导体开发革命性的量子设备和传感器提供了新的路径。

作者用AFM-SECM仪器简单对两种石墨烯材料的HER过程进行了表征，具有亲水性的SiC会产生更多更小的气泡，这些气泡更容易离开表面，不会阻碍反应活性，相较于过电位较高且表面疏水的HOPG，SiC明显具有更高的反应活性。

通过在氧化石墨烯（GO-APP3/28）上修饰抗CD3（αCD3）和抗CD28（αCD28），研究实现了显著的T细胞增殖。GO-APP3/28和T细胞之间的体外相互作用密切模拟了抗原呈递细胞和T细胞间的体内免疫突触。这种免疫突触模拟可改善刺激T细胞增殖的能力，同时保持多功能性和高效性。同时，它提高了CAR基因工程的效率，与标准方案相比，CAR T细胞产量增加了五倍多。

经显微镜、衍射和光谱学分析证实，所得到的薄膜在原子层面上是平坦的，没有可检测到的裂缝或波纹，并且位于一层薄薄的Cu2O层之上。对部分去耦合的石墨烯进行生长后处理，使界面完全均匀氧化，极大地简化了随后的转移过程，特别是干法拾取——当处理直接在金属性Cu(111)上合成的石墨烯时，这一任务被证明是具有挑战性的。

北京大学物理学院量子材料科学中心杜瑞瑞课题组与合作者利用扫描隧道显微镜系统对α-RuCl3/石墨烯异质结中α-RuCl3的电子态进行了系统研究

在这项研究中，科学家们通过 APCVD 方法在高纯度无氧铜箔（HP – OFC）上生长 BLG，以探索提高铜导电性的方法，并深入研究了其内在机制。他们首先对 HP – OFC 箔进行清洗和抛光处理，以去除表面氧化物和有机物，然后进行退火和 CVD 生长石墨烯的实验。