科研进展

本研究利用从碳化聚丙烯腈（PAN）中提取的高纯度碳纤维作为原料，实现了合成氧化石墨烯（GO）纳米片的可扩展和可持续生产。通过在优化的酸性条件下采用电化学剥离工艺，该方法成功生成了高质量的单层氧化石墨烯（GO）纳米片，尺寸≈600 nm，其特性与市售的氧化石墨烯相当，厚度为 0.9 ± 0.2 nm。

本实验首次通过构建石墨烯/CrSBr 异质结，实现了具有高度各向异性传播特性的表面等离子体激元（SPPs），揭示了二维范德华材料中电荷转移诱导的光学各向异性效应。

本文通过层状外延生长方法成功实现了在石墨烯上的铁电h-BN薄膜。这种生长方法不仅克服了2D铁电材料的可扩展性、稳定性和局部可切换性等挑战，还为未来具有非易失性和可重构功能的2D设备提供了一个有前景的平台。研究结果表明，h-BN薄膜在石墨烯上的外延生长不仅实现了铁电性，还展示了在实际铁电器件中的应用潜力。

本文的研究提供了光与磁之间相互作用的见解，展示了2D邻近耦合异质结在光自旋电子学中的潜力。

研究提出了基于聚二甲基硅氧烷（PDMS）粘合多孔激光诱导石墨烯（LIG）的可拉伸、疏冰和快速加热焦耳加热器。在LIG框架中加入准固体PDMS可协同降低表面自由能、增加表面粗糙度并提高优异的拉伸性。因此，LIG/PDMS 具有拉伸憎水性，在 100% 拉伸应变下接触角高达152°，同时还具有奇特的疏冰性，冰粘附强度超低，仅为6.7kPa。

本研究提出了一种数据驱动方法，通过结合相图计算与机器学习技术，实现对G-M体系相形成规律的预测。首先利用CALPHAD方法计算34个G-M体系二元相图，建立热力学数据库，分析其相平衡与相变行为。随后利用决策树算法，以相图数据与碳化物形成焓（ΔH）为数据集，训练预测模型，并泛化至额外13种G-M体系的相形成规律。

在石墨烯下方预沉积金属薄膜并通过硫化/硒化处理，形成取向一致的TMD晶核。石墨烯的移除后，晶核合并为单晶薄膜。这一过程利用石墨烯的范德瓦尔斯相互作用和晶格导向作用，实现了跨衬底的晶体一致性，克服了传统外延对衬底晶格匹配的依赖。

该工作提出了一种基于铁电掺杂石墨烯的新型片上光学忆阻器。通过铁电薄膜聚偏氟乙烯-三氟乙烯P(VDF-TrFE)对集成在氮化硅（SiN）波导上的石墨烯进行电学栅控。在移除最初施加在铁电层上的电压脉冲后，铁电薄膜与石墨烯的界面处会保留较大的剩余极化，从而对石墨烯形成静电掺杂，使其保持一定的载流子密度和非易失性调控的折射率。因此，混合石墨烯-SiN波导的传输损耗和相位延迟的调制状态得以保持，实现了光振幅和相位忆阻器的功能。

上海交通大学和香港城市大学团队采用 LPBF 方法制备了新型 Al-9.5Ce-0.6Mg/0.7GNPs复合材料。随后，对制备的 Al-9.5Ce-0.6Mg/0.7GNPs 复合材料进行了后续热处理。对微观组织进行了细致表征。此外，系统研究了在 3.5 wt. % NaCl 溶液中的力学性能和腐蚀行为。此外，基于多尺度表征揭示了强化和腐蚀机理。

该研究提出了一种新颖的电化学原位掺杂与自组装相结合的策略，用于制备由Ni单原子锚定的石墨烯膜（Ni-SA-G），旨在通过结合电催化和纳米通道筛分效应来促进Li+-溶剂络合物的解离动力学。

本文提出了将ZIF-67整合到壳聚糖和还原氧化石墨烯(GO)双网络体系中，合成一种新型水凝胶珠(rGO@ZIF-67@CS)。该水凝胶设计用于在单溶质和双溶质体系中高效去除四环素(TC)和诺氟沙星(NOR)。

本研究为开发用于电磁干扰屏蔽和微波吸收的轻型和高强度材料提供了一种新策略，显示了其在航空航天、微电子和能量转换应用方面的巨大潜力。

本文将电池材料Ag纳米粒子嵌入由石墨烯组成的胶囊结构单元中，并构建用于CDI的独立复合电极。这些Ag纳米颗粒被限制在相互连接的石墨烯胶囊中，既可以被电解质有效地接触，又可以被胶囊网络合理地保护，这极大地释放了它们作为海水淡化材料的潜力。