科研进展

近日，华东理工大学莫润伟课题组提出一种基于离域催化解耦的层间编程新策略，通过引入π共轭苯桥共价连接相邻多孔还原氧化石墨烯层，显著提升了电极的离子存储与传输能力，突破了传统石墨烯电极因层间强π–π堆积导致的传质瓶颈和结构不稳定问题。

需要说明的是,赝能隙的实验测量是在魔角转角三层石墨烯(TTG)中完成的。与TBG相比,TTG在K点多出一个狄拉克锥,但本文讨论的sFL超导与Γ点相关,预期基本不受影响。理论还预言TBG/TTG的超导出现在sFL向FL转变的附近,建议今后通过调节转角在实验上寻找这一小费米面到大费米面的转变,并预言体系进入FL相后,超导中的两个能隙将合并为单一能隙。

研究通过采用聚丙烯酸（PAA）/聚乙二醇（PEG）作为大分子骨架支撑和自牺牲模板，结合高压喷雾/冷冻干燥/高温还原工艺，制备出了具有出色吸油能力的稳健还原氧化石墨烯气凝胶微球（rGO-PAA/PEG AMs）。

系统梳理了石墨烯、过渡金属硫族化合物（TMDs）以及氮化硼等二维（2D）材料在芯片后道工艺（BEOL）与晶圆背面（Wafer Backside）架构中的关键应用前景（图1），为突破先进制程互连瓶颈，实现高性能、低功耗芯片提供了全新方案。

团队联合攻关，提出钠基熔融盐调控方案。该方法利用前驱体中氢氧化钠与氧化石墨烯残余酸反应原位生成钠盐，在高温石墨化过程实现石墨烯褶皱平整。最优条件下薄膜褶皱密度降至传统样品的 1/37，表面粗糙度降为原先 1/5，同时显著抑制石墨化过程厚度膨胀。

研究提出了一种基于无源射频识别（RFID）的石墨烯组装膜（GAF）温度传感系统。该工作以 GAF 制备天线与人工磁导体（AMC）结构，并集成商用 RFID 芯片实现温度检测，构建出兼具耐腐蚀与远距离通信能力的柔性传感标签。

器件由hBN封装的双层石墨烯构成，上、下hBN厚度分别为28 nm和23 nm，置于少层石墨烯背栅之上；上层hBN表面沉积间隙约50 nm×600 nm的分裂栅，300 nm宽的沟道栅位于60 nm厚Al2O3层上。在约1.3 K电子温度下，扫描背栅与分裂栅电压可在分裂栅区电荷中性点连线上形成量子点接触；固定两者后扫描沟道栅电压，电导以4e2/h为步长降低，证实了自旋-谷简并的量子点接触。

该综述首先介绍了化石能源不断被消耗的大背景下氢能的优势，提出MgH₂的储氢机理及传统改性策略的局限性，进而引出二维材料的独特优势。文章详细梳理了MXenes、LDHs、二维MOFs、二维石墨烯衍生物及金属纳米片等二维催化剂在降低MgH₂脱氢温度、加速反应动力学和提升循环稳定性方面的研究成果。核心贡献在于，作者将复杂的催化机制归纳为三个层面：物理层面（构建快速氢扩散通道与纳米限域）、电子层面（界面电荷转移弱化Mg-H键）和协同层面（多价阳离子与原位活性物种的动态催化）。文章最后指出，未来的研究可以聚焦于通过物理限域影响界面电子再分布、进而影响原位生成物质的催化作用，以推动高性能镁基储氢材料的理性设计与实际应用。