科研进展

领域内普遍采用六方氮化硼封装，但该方案只适用于较薄的叠层，需要专门的转移技术、多步工艺以及可能残留的聚合物支撑层；且器件通常必须在封装之前完成制备，封装后再开窗接触则需要精心优化的刻蚀工艺，难以规模化。以氧化物封装为代表的替代方案中，原子层沉积往往需要活性前驱体、表面功能化、水暴露或强刻蚀步骤，与许多脆弱的低维材料不兼容。相比之下，电子束蒸发氧化铝可在室温下以简单、普及的工艺沉积，并且薄层氧化铝可在标准光刻显影过程中被四甲基氢氧化铵显影液直接去除，这意味着无需专门的刻蚀步骤即可实现晶圆级、无聚合物残留的器件制备，同时让有源材料在整个加工过程中免受光刻胶残留、溶剂与环境污染。

二维层状材料为金属腐蚀防护开辟了新型技术方向，该综述围绕石墨烯、过渡金属硫族化合物（TMDs）、MXenes、六方氮化硼（h‑BN）与 MOFs 等纳米结构展开综述，从配位化学视角解析材料与金属基底间配位共价键的作用机理，系统对比各类材料在液相缓蚀、防护涂层、微生物腐蚀抑制、自修复体系下的防护行为。石墨烯拥有出色的物理阻隔能力，但薄膜缺陷易诱发局部微电偶腐蚀，难以实现长效防护；经过有机、无机及杂化改性的氧化石墨烯，可通过物理吸附、化学螯合改善分散性，作为功能填料为涂层赋予屏障阻隔、抗菌以及刺激响应自修复等多重效能。

本工作通过LCP与MLG的π–π相互作用、MWS界面极化效应和MLG带隙打开，协同构筑了深能级电荷陷阱，并借助F-LC表面富集提升了电荷俘获能力与环境稳定性，开发出面向无偏置柔性静电扬声器的高性能LCP/MLG/F-LC复合薄膜。

该工作在实验上实现了莫尔原胞半填充处的量子反常霍尔态，显著拓展了菱方多层石墨烯/hBN异质结构的已知相图，丰富了莫尔超晶格体系的拓扑框架，并凸显菱方多层石墨烯作为探索莫尔诱导拓扑序的高度可调平台的价值。

本文提出化学感知主动学习蒸馏框架Chem-ALD，将高保真等变神经网络教师模型与高效率学生势结合，并分别用于石墨烯/Cu(111)和h-BN/Ni(111)体系，追踪从气相物种到连续二维薄膜的完整原子级演化。

开发了一种多尺度方法，将小角X射线散射显微成像与偏振光成像相结合，从而跨越七个数量级的长度尺度：在毫秒时间分辨率下，同时解析泰勒-库埃特流中的宏观流场与纳米颗粒取向动力学。针对片状氧化石墨烯纳米颗粒和棒状纤维素纳米晶悬浮液的泰勒-库埃特流（经典转捩流问题）进行了原理验证。

他们借助和频振动光谱（VSFG），直接“看”到了界面水分子的变化。在石墨烯/水界面上，加入特殊分子后，代表氢键网络的水分子信号大幅下降，说明阳离子把界面水排开了。与此同时，芳香C-H振动峰的出现，证明苄基确实与碳电极表面作用，并且发生了重新取向。

不同于以往按材料种类或器件结构进行分类的综述，该文以电荷编程为核心组织主线，聚焦界面如何决定载流子注入、界面输运、陷阱占据、电荷限域与电荷释放这一完整电荷生命周期，系统梳理了实现超快编程、低功耗操作、长数据保持和高耐久性的代表性策略，并进一步讨论了二维闪存在多级存储、存内计算、感存算一体化以及CMOS兼容异质集成方面的进展，最后指出了晶圆级合成、器件差异性、可靠性基准测试和阵列级实现等方面面临的关键挑战。

该工作在顶栅（离子凝胶）单层、涡层双层和三层石墨烯器件中，实验观测到三次和五次谐波产生随栅极掺杂的调制，并将石墨烯太赫兹非线性的热力学模型与非线性静电屏蔽模型相结合，定量重现了层数依赖和栅压依赖的谐波转换效率。