金融界

本发明提供一种基于石墨烯‑铝超晶格界面的功能集流体及其制备方法，所述制备方法包括：在基底上设置石墨烯层后，采用等离子体增强原子层沉积方法在石墨烯层上外延生长铝膜，得到所述基于石墨烯‑铝超晶格界面的功能集流体。本发明制备得到的功能集流体实现了超低界面电阻与优异结构稳定性的协同，特别适用于对界面电阻、柔性及能量密度要求严苛的场景。

本发明通过PET膜承载保护、分片连续辊压及双向正交辊压的协同设计，有效避免了石墨烯膜集流体辊压时的断带、起拱问题，显著提升了极片辊压的平整度、压实均匀性和生产良品率。

本发明通过将铜或铝导热基片预处理后，表面液相沉积石墨烯纳米陶瓷湿态涂层，多层基片叠合静压成型后分段烘干固化，制备得到千层饼式多层复合散热片；本发明摒弃传统粘接、焊接复合工艺，利用湿态涂层静压复合、分段固化的方式，在多层金属基片之间构建连续稳定的石墨烯纳米陶瓷导热通路，有效解决了传统多层散热片导热差、易脱层、耐温性弱的缺陷。

本申请在氧化石墨烯片层表面构建出均匀致密的Si‑O‑C共价键交联网络包覆结构，打破了原始氧化石墨烯极易片层堆叠、团聚结块的缺陷，提升了其在混凝土浆体中的分散均匀性与相容性，大幅提升混凝土基体的界面粘结强度。

以预氧化剂对石墨进行预氧化处理，之后加入质量浓度≥95%的浓硫酸，经所述预氧化剂和浓硫酸的共同作用，得到预处理后的石墨；将氧化剂与预处理后的石墨混合形成混合反应体系，进行氧化反应，其中所述氧化剂包括75~90%质量浓度的硫酸和高锰酸钾的组合；稀释混合反应体系中硫酸的质量浓度至50~60%，终止所述氧化反应，得到氧化石墨烯。

本发明提供了一种适用于多种陶瓷基板的统一技术方案，在陶瓷基板表面先制备一层极薄富铜过渡层并经等离子活化处理，使其成为可WAAM打印的基底，与后续沉积铜‑石墨烯梯度层为冶金扩散结合而非机械嵌合，避免了传统活性金属钎焊的脆性金属间化合物及导热界面材料引入的热阻。

复合材料包含A组分和B组分，A组分为二维导电材料选自石墨烯、二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨、MXene、黑磷中的至少一种，B组分为二维绝缘材料选自六方氮化硼、氮化铝薄层、云母薄层、滑石薄层、蒙脱土薄层、层状双金属氢氧化物中的至少一种。A组分与B组分之间通过范德华力结合形成范德华动态异质界面，范德华动态异质界面在受到机械应力分离后，能够在无外加粘合剂条件下自发重新结合恢复范德华接触状态重新结合，在‑100°C至300°C的温度范围内均能发生；复合材料具备自修复电信号监测功能、电场可调范德华界面功能及自修复电磁屏蔽功能。

本发明公开了一种表面功能化石墨烯量子点、制备方法、应用和钙钛矿太阳能电池，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。表面功能化石墨烯量子点为表面和/或边缘接枝有一种或多种功能性有机分子的改性石墨烯量子点；功能性有机分子为疏水性烷基胺、芳香胺、卤代苯基、含氟烷基链或聚乙二醇衍生物。

本发明通过在石墨烯堆叠体内构建连续起伏的褶皱结构，并使得位于波谷区域的石墨烯片层局部取向发生偏转以形成应力缓冲微区，显著提升了导热膜的耐动态弯折性能。当膜材在弯折过程中受到外力作用时，预先构建的微区能够通过片层的微小偏转、滑移来吸收和耗散形变能量，从而避免应力集中于局部而产生破坏。

大使涂料（安徽）有限公司取得一项名为“一种石墨烯环氧富锌底漆及其制备方法”的专利，授权公告号CN122502972B，申请日期为2026年7月。

福建五持恒科技股份有限公司取得一项名为“一种石墨烯橡胶发泡胶粒及其制备方法”的专利，授权公告号CN115742146B，申请日期为2022年10月。

该制备方法包括：提供逻辑晶圆与存储晶圆，逻辑晶圆与存储晶圆均形成有镜像分布的金属键合焊盘，对两片晶圆分别抛光以形成平坦化界面，并分别通过化学气相沉积整层生长六方氮化硼薄膜；在六方氮化硼薄膜上，对应金属键合焊盘的区域进行开窗处理，去除该区域的六方氮化硼薄膜以暴露出下层的金属键合焊盘；在开窗区域填入石墨烯，使石墨烯直接覆盖于金属键合焊盘之上形成范德华欧姆接触；使两片晶圆的石墨烯区域精确对准，通过六方氮化硼层间和石墨烯层间的范德华力实现键合。实现了常温常压下的晶圆级永久键合，且键合后晶圆具有逆向可返工性，实现了电学功能与热管理功能协同。

步骤1、制备石墨浆料；步骤2、封装制备石墨浆料与陶瓷基体；步骤3、电化学制备石墨烯；步骤4、后处理。本发明采用电化学的方式蜂窝陶瓷表面制备石墨烯，同时解决了功能性与分散性的难题。本发明制备工艺简单，所用物料为膨胀石墨及常规化学品，绿色环保。值得的陶瓷成品上，石墨烯分布均匀，具有良好的导电导热效果，大幅度提高了电加热陶瓷的快速发热、均匀发热的能力。

高电导抗氧化表面膜层设置于铜基导体表面，从内到外依次包括铜富集锚定层和石墨烯/铜复合功能层，所述石墨烯/铜复合功能层包括连续铜相与分布于其中的还原氧化石墨烯片层；其制备方法为：对铜基导体进行除油、活化和水洗；配制石墨烯前驱分散体系；电沉积镀膜。

山西天成半导体材料有限公司取得一项名为“利用金属Ag纳米颗粒刻蚀SiC表面热解石墨烯的方法及应用”的专利，授权公告号CN119284889B，申请日期为2024年9月。