金融界
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奋飞橡塑申请抗老化石墨烯涂层橡胶输送带专利,延长输送带的使用寿命
本发明通过合成抗老化单体,将紫外吸收基团和自由基捕获基团通过化学键连接到具有聚合活性的甲基丙烯酸酯骨架上,通过紫外吸收基团的固定,能够持续、高效地将入射的紫外光吸收,其浓度和分布在整个寿命期内恒定,吸光效率不衰减,从而延长输送带的使用寿命。
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雷索新材料申请高导电复合石墨烯制备方法专利,有效抑制石墨烯复合后电导率下降
本发明提供的高导电复合石墨烯制备方法中,向石墨烯分散液中加带氨基的硅烷偶联剂,通过与石墨烯表面羟基的缩合反应完成氨基化改性,银粉与石墨烯氨基形成Ag‑N配位键,使石墨烯完整包覆银颗粒,构建连续C‑Ag‑C导电网络,该网络减少通路断点、降低界面接触电阻、提升电荷传输效率,有效抑制石墨烯复合后电导率下降,兼具高导电性与高耐热性。
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杭州亿昇达新能源取得石墨烯自支撑插层焦磷酸磷酸铁锰钠正极材料专利
杭州亿昇达新能源科技有限公司取得一项名为“一种石墨烯自支撑插层焦磷酸磷酸铁锰钠正极材料及应用”的专利,授权公告号CN121583917B,申请日期为2026年1月。
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广东墨睿科技取得高取向石墨烯导热膜制备方法专利
广东墨睿科技有限公司取得一项名为“一种高取向石墨烯导热膜及其制备方法”的专利,授权公告号CN117303354B,申请日期为2023年10月。
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中铜华中取得石墨烯专用压延铜箔及其制备方法专利
中铜华中铜业有限公司取得一项名为“一种石墨烯专用压延铜箔及其制备方法”的专利,授权公告号CN117696622B,申请日期为2023年12月。
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北京石墨烯研究院取得纤维表面胶层去除装置及方法专利
北京石墨烯研究院有限公司取得一项名为“一种纤维表面胶层的去除装置及去除方法”的专利,授权公告号CN116623412B,申请日期为2023年5月。
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淮安晶浩新材料申请石墨烯发热板裁板工装及制备方法专利,提高了工作流程的机械化程度
本发明通过设置固定机构,完成对工件水平夹持,结构稳定,固定效果好;通过设置清理机构,通过机械对裁切后的石墨烯板的表面进行清理;通过设置收集机构,将裁切的废料收集到收集箱,改变了通过人工收集废料的工作模式,提高了工作流程的机械化程度。
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微一生物取得石墨烯膏体压滤装置专利,降低对石墨烯膏体性能的影响
本实用新型使用气压带动隔膜对石墨烯膏体进行压滤,隔膜会随着膏体逐渐硬化的形状发生变化,实现柔性施压,能够减小局部压力集中导致的硬性接触,降低对石墨烯膏体性能的影响。
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宁波石墨烯创新中心申请柔性直立石墨烯异质结专利,能在高形变状态下维持较高的光电探测性能
本发明提供了一种柔性直立石墨烯异质结、制备方法、应用、柔性光电探测器和可穿戴设备,包括层状设置的衬底以及直立石墨烯,所述衬底的材质为Ge且厚度不大于20μm。本发明的柔性直立石墨烯异质结相较技术而言,具备更强的弯曲能力和更高的光电探测能力,同时还能在高形变状态下维持较高的光电探测性能,因此能够适应更为复杂的应用场景。
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山东晶亿新材料申请高热导率氮化硼承烧板及其制备方法专利,有效提升了氮化硼承烧板的导热性能
本发明中,通过氮化硼组合粉体中多粒径组合粉料的设置,通过三级颗粒级配,实现最紧密堆积,通过对粗颗粒氮化硼粉末的处理,氧化石墨烯可以在粗颗粒表面吸附石墨烯,增强截面热传递,通过对中颗粒氮化硼粉末的处理,有效缓冲热应力并增加接触面积,通过对细颗粒氮化硼粉末的处理,溶胶经过烧结后形成玻璃相,包裹细颗粒并填充晶界,同时氮化硼晶须在颗粒间穿插,构建附加导热路径,有效提升了氮化硼承烧板的导热性能。
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苏州英硕新材料取得可自动上下料的石墨烯产品热压设备专利
苏州英硕新材料科技有限公司取得一项名为“一种可自动上下料的石墨烯产品热压设备”的专利,授权公告号CN117182224B,申请日期为2023年8月。
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江苏天创取得石墨烯电热膜裁剪装置专利
江苏天创新材料科技有限公司取得一项名为“一种石墨烯电热膜用裁剪装置”的专利,授权公告号CN115741884B,申请日期为2022年10月。
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北京石墨烯技术研究院取得石墨烯液冷板及电子设备专利,有效解决散热不均的问题
石墨烯液冷板包括液冷板本体和石墨烯均温板。液冷板本体内部设置有第一区域和第二区域。第一区域和第二区域沿着液冷板本体的厚度方向分布。在沿着液冷板本体的厚度方向的投影平面中,第二区域的至少部分面积与第一区域重合。在第一区域内开设有液体流道,在第二区域的内部装配有石墨烯均温板。石墨烯均温板装配后能有有效解决散热不均的问题。
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国创碳铖取得石墨烯制备装置专利,有效提高碳源的可调性、稳定性、高活性、低成本和低风险等优点
应用上述石墨烯制备装置制备石墨烯时,载气进入等离子腔室,加热后得到高温载气;高温载气通过填充有固态碳源的固态碳源腔室,将固态碳源气化成成分可调的气态碳源;气态碳源和催化剂在反应腔室反应生成石墨烯。
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隆宇芯航申请基于石墨烯 / 大角度斜切 Ge 衬底的 GaAs 太阳能电池远程外延与剥离方法专利 , 为高性能柔性 GaAs 太阳能电池的产业化提供了可靠方案
采用沿 [ 111 ] 晶向 10 15 ° 大角度斜切的 Ge ( 001 ) 衬底作为模板,直接化学气相沉积生长单晶石墨烯,省去了复杂的转移步骤;随后,通过迁移增强外延技术生长 GaAs 成核层,并结合 InGaAs/GaAs 应变缓冲层,协同解决因大角度斜切和晶格失配引入的缺陷问题,确保外延层质量;最后利用石墨烯的范德华力进行机械剥离,转移至柔性衬底。