金融界

本发明将石墨烯改性后得到Ni‑改性氧化石墨烯，接着通过改性左旋多巴负载Al得到Al‑改性左旋多巴，Ni‑改性氧化石墨烯和Al‑改性左旋多巴混合反应得到Ni‑Al改性氧化石墨烯，然后将Ni‑Al改性氧化石墨烯通过高温煅烧后得到加氢催化剂前驱体，最后通过高温还原得到了对N‑乙基咔唑具有良好加氢活性的加氢催化剂。

本发明控制电缆以丙烯酸酯‑吡咯共聚物作为屏蔽层主料，并通过改性石墨烯颗粒提高屏蔽层的导电性能，使屏蔽层能有效保护导体，避免外界干扰，且改性石墨烯与丙烯酸酯‑吡咯共聚物的相容性较好，可以有效保证屏蔽层机械性能，避免屏蔽层使用过程中开裂。

单晶石墨烯膜的制备方法包括以下步骤：提供合金基底，合金基底开始熔化的温度小于或者等于800℃；将合金基底加热至合金基底开始熔化的温度以上后，在气态碳源和保护性气体存在下，通过等离子体增强化学气相沉积在合金基底表面形成单晶石墨烯膜，制备得到石墨烯合金基底膜；将石墨烯合金基底膜进行气相修饰处理，制备得到修饰后石墨烯合金基底膜；将载体膜设置在修饰后石墨烯合金基底膜的单晶石墨烯膜相邻的侧面，得到叠层，将叠层进行冷冻脆化，剥离合金基底，得到单晶石墨烯膜。

本发明通过化学改性与物理共混的协同作用，从而使所得防腐涂层兼具优异的物理阻隔性能、力学性能和长期防护效果。

江苏希诚新材料科技有限公司取得一项名为“一种石墨烯导电浆料粘度检测设备及其检测方法”的专利，授权公告号CN121954746B，申请日期为2026年4月。

本发明通过构建石墨烯半导体功能复合层，并通过所述电极层施加偏置电压调节石墨烯费米能级，能够改善两种工作状态下的反射幅度差异，并且通过测量两种单元结构在目标波段内的平均反射幅度并按照两者之比确定其数量比例，在阵列中实现能量统计对消，同时，采用非周期排布抑制量化栅瓣与残余增强峰，使远场散射能量均匀分散，从而有效抑制多个频点处的残余远场散射增强峰，提升漫散射膜在宽谱范围内的低散射性能。

将一石墨原料进行催化还原以及石墨化处理，得到结晶度大于等于80%的石墨粉；将所述石墨粉进行氧化得到单层率大于85%的氧化石墨烯分散液；将所述氧化石墨烯分散液和一交联剂混合形成涂覆液；将所述涂覆液涂覆在所述陶瓷基膜表面经过干燥形成氧化石墨烯沉积层，交联固化所述氧化石墨烯沉积层以在所述陶瓷基膜表面形成氧化石墨烯层；所述水处理方法提升了锂电池回收处理用废水的净化效率。

该基于石墨烯改性的聚丙烯复合材料，采用特定的方法制备得到表面功能化石墨烯，并将其与高效复合成核剂协同，再结合母粒法两步熔融共混工艺，利用改性石墨烯对聚丙烯的异相成核效应，显著提升了材料的结晶性能，最终制得的聚丙烯复合材料形成了细小均一的α晶型微观结构，从而在力学性能、热学性能及尺寸稳定性方面获得了全面的提升。

利用低频电磁搅拌的强力使石墨烯宏观混匀，再通过保温连轧和连续退火拉丝，使铝合金基体塑性变形过程始终保持高塑性，以降低石墨烯取向与微观分散过程的抗力，实现石墨烯片层在减少晶格结构破坏的同时均匀分散并沿线高度取向，得到的石墨烯铝合金导线兼具高导电、高强度与高抗蠕变性能的优势。

第一涂层，设置在集流体沿厚度方向上的至少一个表面上，第一涂层包括第一活性材料和复合温敏聚合物，复合温敏聚合物包括氧化石墨烯和位于氧化石墨烯表面的温敏聚合物，温敏聚合物具有热膨胀性；第二涂层，设置在第一涂层的远离集流体的表面上，第二涂层包括第二活性材料和导电剂，导电剂包括碳纳米管和石墨烯；第三涂层，设置在第二涂层的远离第一涂层的表面上，第三涂层包括第三活性材料、多孔碳和亲液聚合物。

武汉汉烯科技有限公司取得一项名为“一种流体散热用小体积石墨烯-铝复合间壁式热交换器及制备方式”的专利，授权公告号CN116141767B，申请日期为2022年9月。

本发明的方法中，使用具有高导热功能的多孔石墨烯与树脂溶液混合超声喷涂成膜，并先使用苯丙氨酸对多孔石墨烯进行改性，通过π‑π健的相互作用使石墨烯孔道内部产生大量亲油基团，再与相变材料混合时，能使相变材料尤其是石蜡牢固的吸附在石墨烯孔道内部，不易渗出，并能够将热量通过装饰膜层向相变石膏基板内部迅速传递。

专利摘要显示，一种复合材料，该复合材料包含聚合物基体和分散在该聚合物基体内的包覆颗粒。包覆颗粒包含由电阻性材料制成的中空颗粒以及覆层，该覆层包含与中空颗粒的外表面直接接触的石墨烯薄片。中空颗粒通过机械剥离层状石墨烯以产生石墨烯薄片并用石墨烯薄片包覆中空颗粒而制得。复合材料可以用作高频应用中的电磁干扰（EMI）缓解材料。

重庆石墨烯研究院有限公司取得一项名为“一种石墨烯微球及其制备方法”的专利，授权公告号CN117680035B，申请日期为2023年12月。

本发明通过在铜基体表面电镀石墨烯，形成了石墨烯与铜的复合结构；石墨烯本身具有优异的导电性，其独特的二维结构能够为电子传输提供良好的通道，从而有效提高了铜导体的导电率，提升幅度可达3％‑5％。