国家知识产权局信息显示，山西天成半导体材料有限公司取得一项名为“利用金属Ag纳米颗粒刻蚀SiC表面热解石墨烯的方法及应用”的专利，授权公告号CN119284889B，申请日期为2024年9月。
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山西天成半导体材料有限公司取得一项名为“利用金属Ag纳米颗粒刻蚀SiC表面热解石墨烯的方法及应用”的专利，授权公告号CN119284889B，申请日期为2024年9月。
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