芯联集成申请半导体晶圆键合制备方法专利，实现了常温常压下的晶圆级永久键合

国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体晶圆的键合制备方法及其半导体结构”的专利，公开号CN122825874A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体晶圆的键合制备方法及其半导体结构。该制备方法包括：提供逻辑晶圆与存储晶圆，逻辑晶圆与存储晶圆均形成有镜像分布的金属键合焊盘，对两片晶圆分别抛光以形成平坦化界面，并分别通过化学气相沉积整层生长六方氮化硼薄膜；在六方氮化硼薄膜上，对应金属键合焊盘的区域进行开窗处理，去除该区域的六方氮化硼薄膜以暴露出下层的金属键合焊盘；在开窗区域填入石墨烯，使石墨烯直接覆盖于金属键合焊盘之上形成范德华欧姆接触；使两片晶圆的石墨烯区域精确对准，通过六方氮化硼层间和石墨烯层间的范德华力实现键合。实现了常温常压下的晶圆级永久键合，且键合后晶圆具有逆向可返工性，实现了电学功能与热管理功能协同。

天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本838268.7172万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目1750次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息866条，此外企业还拥有行政许可43个。

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