电子科技大学
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电子科技大学《AFM》:Mo2N量子点修饰氮掺杂石墨烯纳米片,用于锂-硫电池
Mo2N@NG具有很强的化学吸附能力,对LiPSs有很强的电催化作用,与锂离子(Li+)有很高的化学亲和力,可以有效地催化LiPSs的快速转化,并诱导Li+的均匀沉积。研究人员通过理论计算和原位拉曼协同解释了穿梭效应的抑制和枝晶生长的减缓。
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电子科技大学信通学院饶云江教授团队在《自然通讯》发表光逻辑器件前沿成果
该研究首次提出以二阶光子非线性差频方法,在声子共振的石墨烯-光纤微结构异质波导中产生多个异频等离激元,其各自拥有独立的频率响应。在0-50THz的大带宽内,通过电子注入,实现了亚皮秒(>1THz)速度的等离激元幅频动态调控。进而在单个器件上,展现了丰富的电致光逻辑操作,涵盖了可选择的与、或、与非等基本功能。这一新方案实现了光场调控科学与信号处理技术巧妙的结合,为下一代超高速全光信息处理打开了新的大门。
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EnSM:Fe3N@N掺杂的石墨烯,高稳定性锂金属电池!
为了有效抑制锂枝晶的生长,电子科技大学陈远富教授,Jiarui He报道了首次在商用聚丙烯隔膜上引入了一种新型的亲锂中间层,其由嵌入并包裹在氮掺杂石墨烯纳米片中的Fe3N纳米颗粒(Fe3N@NG)构成。
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SCMs|卷对卷化学气相沉积法制备石墨烯
近日,电子科技大学李雪松教授等人在SCIENCE CHINA Materials发表研究论文,通过研究石墨烯的生长演化过程,发现在相同的反应参数下,R2R工艺的石墨烯晶畴密度大于B2B工艺的石墨烯畴密度,其原因归结于两种工艺不同的反应过程;而通过延长反应时间,可以对石墨烯薄膜的缺陷进行修复。在优化的R2R工艺下,可以获得与常规B2B工艺相当的高质量石墨烯薄膜。
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这个实验室,开垦的是电磁波的最后一片“处女地”
2014年,刘盛纲团队通过利用二维材料石墨烯的表面等离子体波,提出了覆盖整个太赫兹频段的新型辐射源。该结果突破了传统真空电子学理论框架,产生强太赫兹辐射;实现百瓦量级输出功率,比现有器件高3个量级。
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电子科技大学Guo-Ping Guo课题组和中国科学院Xiaobin Niu课题组–使用邻近催化生长h-BN/石墨烯异质结构
在这项研究中,开发了一种邻近催化路线,用于在铜箔上快速生长石墨烯/h-BN垂直异质结构,该路线显示出大大提高的合成效率(比其他路线快500倍)和良好的结晶质量石墨烯(大单晶长度高达10微米)。我们合成路线的主要优势是使用转盘将新鲜的铜箔(或铜泡沫)引入高温区;在高温下,Cu蒸气作为气态催化剂,可以降低石墨烯生长的能垒,促进碳源的分解。
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Nature Chemistry:用石墨烯量子点合成高金属负载量单原子催化剂的通用方法
过渡金属单原子催化剂在每个金属原子位上表现出非凡的活性,但金属原子密度较低(通常小于5 wt%或1 at.%)限制了其整体催化性能。有鉴于此,电子科技大学的夏川等研究人员,报道了用石墨烯量子点合成高金属负载量单原子催化剂的通用方法。
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用石墨烯量子点合成高金属负载量单原子催化剂
该文中,研究人员报道了一种合成高过渡金属原子负载量达40wt%或3.8at.%的单原子催化剂的通用方法,其与文献中的基准相比有几倍的改进。后来交织成一个碳基体的石墨烯量子点,被用作一个提供大量锚定位点的支持,从而有利于产生高密度的过渡金属原子,原子之间有足够的间距避免金属原子聚集。在Ni单原子催化剂上,随着Ni负载量的增加,电化学CO2还原(作为代表性反应)的活性显著增加。
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《Research》用于快速热感知的可批量生产的石墨烯涂层光纤
近日,电子科技大学饶云江教授、姚佰承教授和剑桥大学Yue Lin博士,中科院沈阳金属所任文才研究员合作,将工业石墨烯纳米片和光纤拉制涂层技术相结合,制作出了千米级长度的石墨烯涂层光纤,并实现了基于石墨烯涂层光纤的快速温度响应测量。
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4月10日李雪松报告:石墨烯化学气相沉积法可控制备
报告题目: 石墨烯化学气相沉积法可控制备(Controllable synthesis of graphene by chemical vapor deposition)
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自支撑1T MoS2/石墨烯异质结构作为多硫化锂高效催化剂用于锂硫电池
该结构可作为一种高效的多硫化物转化催化剂,用于加快锂多硫化物的转换速率。该材料是由在多孔3D石墨烯网络上原位生长的少层2D MoS2纳米片构建而成,保证了载体中具有丰富的活性位点,从而确保对多硫化锂具有足够的催化活性,从而用来改善电池的电化学性能。
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【青年学人】唐永亮:一招把“黑色黄金”石墨烯变成“白菜价” ——基础与前沿研究院博士生唐永亮实现高质量石墨烯高产制备
没错,从现在起,制备石墨烯就是这么简单:从装置的一端通入常见且廉价的天然气,在装置的另一端就会源源不断地产生出高质量的“黑色黄金”石墨烯。这就是由于庆凯教授提出的制备石墨烯的新设想,电子科技大学基础与前沿研究院2013级博士生唐永亮实现了该设想。
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铜基底化学气相沉积法制备石墨烯薄膜
该篇论文回顾了铜基底化学气相沉积(CVD)法制备大面积石墨烯薄膜的发展进程,主要包括相关的各种CVD技术、石墨烯生长机制与动力学、制备大面积石墨烯单晶的方法、石墨烯的转移技术等,并针对该技术目前所面临的挑战及前景进行了讨论。
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新加坡南洋理工大学申泽骧教授来校交流
近日,应物电学院和光学学院的邀请,南洋理工大学材料科学与工程学院与物理与数学学院教授、跨学科研究生院项目主席申泽骧教授做客沙河校区,为电子科技大学师生带来题为《石墨烯在纳米电子学的潜在应用研究与性能调控》的精彩讲座。