铜基底化学气相沉积法制备石墨烯薄膜

该篇论文回顾了铜基底化学气相沉积(CVD)法制备大面积石墨烯薄膜的发展进程,主要包括相关的各种CVD技术、石墨烯生长机制与动力学、制备大面积石墨烯单晶的方法、石墨烯的转移技术等,并针对该技术目前所面临的挑战及前景进行了讨论。

电子科技大学李雪松教授在《Advanced Materials》发表题目为“Synthesis of Graphene Films on Copper Foils by Chemical Vapor Deposition”的论文。该论文是基于李雪松教授在石墨烯领域的突出成绩,与美国德州仪器Colombo博士韩国蔚山国立科学与技术研究院Ruoff教授共同受邀撰写的关于石墨烯薄膜制备的综述性论文。

铜基底化学气相沉积法制备石墨烯薄膜

石墨烯在铜基底表面生长示意图(左)和在铜表面的石墨烯的扫描电子显微镜图片(右)

Adv. Mater., 2016, DOI: 10.1002/adma.201504760

该篇论文回顾了铜基底化学气相沉积(CVD)法制备大面积石墨烯薄膜的发展进程,主要包括相关的各种CVD技术、石墨烯生长机制与动力学、制备大面积石墨烯单晶的方法、石墨烯的转移技术等,并针对该技术目前所面临的挑战及前景进行了讨论。

http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201504760/full

原文:Synthesis of Graphene Films on Copper Foils by Chemical Vapor Deposition

Adv. Mater.2016, DOI: 10.1002/adma.201504760

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