光电器件

作者报道了一种石墨烯增强的垂直G-WSe2/PtSe2异质二极管光电探测器。结果表明，将薄石墨烯层放置在二维范德华异质结构上是调节光电探测器性能的有效方式。

首先详细介绍了材料合成技术和包括器件结构、介电和接触工程以及材料转移在内的晶体管制造工艺。然后讨论了典型芯片领域的二维晶体管应用现状，包括数字和模拟电路、异构集成芯片和传感电路。此外，还介绍了基于特定机制器件的几种有前景的新兴应用方向(人工智能芯片和量子芯片)。最后，分析了二维材料在实现电路级或系统级应用时遇到的挑战，并进一步推测和展望了潜在的发展路线。

QDs/2D材料结合形成异质结已成为克服单个材料局限性和提高整体性能的有效策略。通过将QDs与2D材料相结合，可以获得以下几个优势：第一，QDs可以有效地吸收和利用光，弥补2D材料吸收光的不足。第二，异质结中的2D材料可以提供界面和通道，从本质上促进电荷传输，解决量子点的低迁移率问题。第三，QDs的可调谐吸收波长特性可以弥补某些2D材料的有限响应带，实现宽带探测。

近日，北京科技大学张跃院士，张铮教授和张先坤教授（共同通讯作者）等设计并构建了一种梯度调制、稳定且精确的2D材料应变施加策略，显著提高了ZnO/WSe2/石墨烯异质结光电探测器的探测效率

本工作采用金纳米金属低聚体超构表面作为石墨烯/硅（SOI）近红外探测器的天线，实现了光响应度2倍的增强。通过时域有限差分法（FDTD）仿真和实验相结合研究了低聚体超构表面光电耦合效率的动态过程，为提高光电探测效率提供了一种重要的途径。

在石墨烯涂层蓝宝石衬底上生长的高质量GaN膜可以通过使用热释放带轻易地剥离并转移到外来衬底上。此外，揭示了在GaN生长过程中氨流的脉冲操作是制备高质量独立GaN膜的关键因素。

二维材料具有构建高集成度、高效光电器件的特性，在未来集成光电子器件中有重要前景。按照电学导电性，可分为导体、绝缘体和半导体等。其种类丰富，半导体具有高迁移率，电子光电器件具有高开关比，可通过异质结任意搭配来进行器件性能改善。其中，基于石墨烯、二硒化钨、贵金属硫族化合物的电子光电器件性能优异，成为逄金波教授课题组研究的首选课题。

超结构使光探测能够跨越从近紫外到中红外的宽范围，并在追求宽带探测时提供了用于高响应率和快速时间响应的独特光浮栅路线。