外延缓冲

深圳华盈芯材半导体技术有限公司已发展出成熟的高质量石墨烯生长、转印到硅晶圆的量产技术，并与台湾外延片公司合作初步验证了在石墨烯晶圆上外延氮化镓的成本以及特性上的优势。

来自士兰微电子、北京石墨烯研究院和苏州大学的研究人员共同努力，对石墨烯作为氮化物外延生长缓冲层的开发和可能用途进行了全面的综述。

研究人员使用金属有机气相外延在覆盖有微图案 SiO2 掩模的石墨烯层（生长在蓝宝石基板上）上生长 GaN 微盘。然后将微盘加工成 micro-LED，并成功转移到可弯曲基板上。

尽管GaN具有优异的物理特性，使其成为高性能电子和发光器件应用的引人注目的选择，但GaN衬底上石墨烯在高温下热化学分解的挑战阻碍了通过MOCVD实现远程同质外延。

在此结构中，石墨炔起到吸附层的作用，通过d -π和π -π相互作用对目标物表现出很强的亲和力，同时石墨烯起到导电层的作用，解决了石墨炔导电性差的问题，实现了Cd2+, Pb2+, nitrobenzene和4-nitrophenol的检测。

证明了通过界面调控可在氮掺杂石墨烯上生长高质量的氮化镓薄膜，是一种有效的原子调控方法。本方法为新型半导体器件的工业发展提供了新思路。

研究人员开发了一种基于2D材料的层转移（2DLT）技术 – 该技术涉及在2D材料涂层的基板上生长LED，移除LED，然后敲击它们。对于红色LED，研究人员使用涂覆在GaAs晶片上的石墨烯，而对于绿色和蓝色LED，他们在蓝宝石晶片上使用hBN。石墨烯红色LED使用远程外延转移，而hBN蓝色和绿色LED使用范德华外延去除。

近日，宾夕法尼亚州立大学Joan M. Redwing结合实验和理论研究，研究了石墨烯层厚度和化学功能化对Ga嵌入和2D GaNx形成的影响。

有鉴于此，麻省理工学院Jeehwan Kim、伦斯勒理工学院Yunfeng Shi、俄亥俄州立大学Jinwoo Hwang、圣路易斯华盛顿大学Sang-Hoon Bae等报道发展了纳米图案化的石墨烯作为一种优异的异质结构集成平台，这种方法能够生成类型广泛的、缺陷浓度较低、各种极性（包括极性/非极性）、各种能带（窄/宽能带）的单晶薄膜。