麻省理工学院的研究人员与美国和韩国其他大学的研究人员合作，使用石墨烯（和hBN）开发全彩色垂直堆叠的microLED，实现了迄今为止报道的最高阵列密度（5100 PPI）和最小尺寸（4μm）。
研究人员开发了一种基于2D材料的层转移（2DLT）技术 – 该技术涉及在2D材料涂层的基板上生长LED，移除LED，然后敲击它们。对于红色LED，研究人员使用涂覆在GaAs晶片上的石墨烯，而对于绿色和蓝色LED，他们在蓝宝石晶片上使用hBN。石墨烯红色LED使用远程外延转移，而hBN蓝色和绿色LED使用范德华外延去除。
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