来自士兰微电子、北京石墨烯研究院和苏州大学的研究人员共同努力，对石墨烯作为氮化物外延生长缓冲层的开发和可能用途进行了全面的综述。
Application of transfer-free graphene on insulating substrates for III-nitride epitaxy. 图片来源：Science China Press
该论文结合了学术机构、研究中心和半导体行业专家的观点，为半导体技术中的重大问题提供了解决方案。
石墨烯作为一种二维材料，其卓越的电学和机械特性因其在氮化物半导体开发中的潜在应用而受到广泛关注。
尽管在各种绝缘基材上使用化学气相沉积（CVD）制造石墨烯方面已经取得了重大进展，但高质量石墨烯的生产以及与III族氮化物材料获得理想的界面相容性仍然是该领域的重大障碍。
该综述详细研究了无转移石墨烯生长的最新进展以及转移石墨烯制造方法中的障碍。还涵盖了各种绝缘基板上无转移石墨烯的开发及其在氮化物外延中的可能用途。
该研究还强调了在氮化物外延领域充分实现无转移石墨烯生长技术的前景需要消除的障碍。该综述鼓励在该领域进行更多研究，通过对现有文献的详细分析，为在氮化物外延生长中使用石墨烯提供技术和应用指南。
该综述不仅指导了氮化物外延生长领域未来的研究方向和技术突破，而且为从业者和研究人员提供了有用的信息。
期刊参考：
Gao, X., et. al. (2023) Transfer-free chemical vapor deposition graphene for nitride epitaxy: challenges, current status and future outlook.
Science China Chemistry.
doi:10.1007/s11426-023-1769-y.
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