韩国首尔国立大学和成均馆大学的研究人员开发了一种在柔性石墨烯层上生长 GaN LED 阵列的方法。所谓的微盘阵列表现出优异的结晶度、均匀的面内取向和强的蓝光发射。
研究人员使用金属有机气相外延在覆盖有微图案 SiO2 掩模的石墨烯层（生长在蓝宝石基板上）上生长 GaN 微盘。然后将微盘加工成 micro-LED，并成功转移到可弯曲基板上。
这是一项有趣的研究，表明可以在石墨烯上生长高质量 LED，然后将其集成到灵活的 microLED 设备中。
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