外延缓冲

该工作清晰地研究了石墨烯在第三代半导体材料生长中的作用，揭示了AlN在石墨烯覆盖的蓝宝石上的生长行为，以及石墨烯对于AlN应力释放、缺陷密度降低的影响，为石墨烯的应用开辟了新的领域，也为提升第三代半导体材料质量提供了新的途径。

最近，中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）纳米物理与器件实验室张广宇研究员、时东霞研究员、博士生杨威等与复旦大学张远波教授、博士生陈国瑞、以及北京理工大学姚裕贵教授、博士刘铖铖等合作开展了六方氮化硼衬底上外延生长石墨烯以及研究相关超晶格电学输运性质测量方面的工作。