化学气相沉积

项目团队巧妙运用化学气相沉积（CVD）工艺，在铜丝表面连续生长高质量石墨烯，通过独特的“生长——加捻——拉拔”周期化循环加工工艺，实现了石墨烯在铜基体中的均匀分布，并与铜基质在微观尺度上形成了良好的界面相互作用。这一突破不仅显著提升了铜缆的力学和电学性能，更为兆瓦级超充技术提供了坚实的材料基础。

本研究采用离子注入协同空间限域的策略，通过引入空间限域的方式来延长离子注入催化剂的活性时间。在生长过程中，释放的离子被有效捕获在催化前线，确保其在更长的生长周期内持续发挥作用。

柔碳电子目前是世界最大的卷对卷生产石墨烯薄膜的企业，最新研发的石墨烯透明导电材料，正加速柔性显示行业国产替代进程；

报告中，丁松园教授以“石墨烯基纳米红外光子学和光电子学”为主题，介绍了其团队近年来发展的一种快速升降温化学气相沉积方法，进而制备出了较高质量的少层石墨烯包覆氧化亚锰纳米结构，并就该新型领域面临的机遇和挑战进行了系统的阐释和论述。

研究首先提出了“紧密接触指数”描述符来衡量石墨烯与铜基底之间的界面耦合强度，并且发现界面耦合强度与原子结构和电子状态密切相关。进一步的研究结果表明，石墨烯的生长取向主要由Gr/Cu界面耦合决定。高指数铜表面与石墨烯的耦合较弱，导致石墨烯对基底的锚定减弱，进而使石墨烯的取向分散性增加。此外，研究还将界面耦合理论扩展到双层石墨烯，指出扭转角的控制取决于Gr/Cu界面耦合和Gr/Gr层间耦合之间的竞争。

薄膜主要是单层石墨烯，具有少量层的区域的小百分比（小于5%），并且连续穿过铜表面台阶和晶界。碳在铜中的低溶解度似乎有助于使这一生长过程具有自限性。他们还开发了石墨烯薄膜转移到任意衬底的工艺，在Si/SiO2衬底上制造的双门控场效应晶体管在室温下显示出高达4050 cm2/(V·s)的电子迁移率。

华南师范大学物理学院徐小志教授团队近日在《科学通报》发表题为“绝缘衬底上二维单晶材料制备研究进展”的评述文章。该文从绝缘衬底上不同种类二维单晶材料的生长行为展开探讨，回顾了近十年来过渡金属硫族化合物、石墨烯和氮化硼在绝缘衬底上的生长策略以及机理，对绝缘衬底上制备高质量二维单晶材料具有重要指导意义。