转移转印
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哥伦比亚大学 Nano Lett.: 无损转移高质量化学气相沉积（CVD）石墨烯
本文通过镍辅助转移方法，实现了CVD石墨烯的无损转移，其性能与剥离石墨烯相当。这种转移方法不仅保留了石墨烯的固有品质，还使得CVD石墨烯可以用于构建魔角扭曲双层石墨烯等复杂异质结构。这些发现标志着CVD生长的石墨烯在基础研究中相对于剥离石墨烯没有任何明显的劣势，为二维材料的可扩展合成和应用提供了重要的技术进步。
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北大才女，麻省理工孔静教授 Nature:基于静电排斥的范德华材料转移技术！！
本研究提出并实现了一种基于电双层（EDL）静电排斥机制的新型范德华（vdW）材料转移方法。该方法无需蚀刻，具有高通量、快速、晶圆级、低成本和高普适性的特点，适用于多种二维材料（如MoS₂、WSe₂、hBN、石墨烯、CNT等）及其生长基底（如SiO₂、蓝宝石、铜、SrTiO₃等）。通过将材料浸入32%氨水中，利用材料表面与基底间形成的EDL排斥力，实现温和、均匀、快速的剥离。该方法显著减少了传统转移过程中的裂纹、褶皱、聚合物残留和金属离子污染问题，实现了100%转移良率和原子级洁净界面。
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Nature Electronics:二维材料的无残留晶圆级直接压印
将预先设计好的三维（3D）金属印章直接压印在2D材料表面，以形成部分物理接触和部分悬空（非接触）的界面结构。其中，在局部接触区域，金属-二维材料界面的强相互作用确保了二维材料可以被金属从衬底上剥离；而在非接触区域，二维材料完好无损地保留在衬底上以形成图案化的2D独立阵列。该物理图案化过程避免了使用任何光刻胶和化学试剂，使二维材料的晶圆级，快速和高质量的图案化成为可能。
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2025，Nano Lett.——液氮辅助二维材料超洁净转移技术
为避免聚合物污染，首先在TMDC上生长一层HfO2以隔离支撑层PMMA，然后使用液氮削弱TMDC与生长基底之间的范德华力（vdW），导致TMDC从生长基底上分层。这种转移路径不仅可以保护二维TMDC免受PMMA污染，还可以避免样品开裂、起皱等性能下降，从而有效保持TMDC的电子性能。
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北京石墨烯研究院产业发展取得二维材料转移装置专利，避免二维材料在转移过程中被挤压变形
二维材料转移装置包括第一转移组件和第二转移组件，第一转移组件包括第一放卷辊、主辊、第一收卷辊和第一膜，第一膜的一侧附着有二维材料，第一膜从第一放卷辊伸出经由主辊后于第一收卷辊收卷，第一膜与主辊的周侧接触范围占主辊周侧的比例为A，1/3≤A≤2/3；第二转移组件包括第二放卷辊、第一中间辊、第二中间辊、第二收卷辊以及第二膜，第二膜从第二放卷辊伸出依次经由第一中间辊和第二中间辊后于第二收卷辊收卷。
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创新突破！利用自动化转移设备实现高品质石墨烯批量化转移
为了确保石墨烯在转移过程中保持本征性质，研究团队使用金属铝作为转移介质，铝与石墨烯较高的结合力可以辅助石墨烯从生长衬底的直接剥离。随后，通过对铝层进行氧化处理，形成氧化铝薄膜，有效降低转移介质与石墨烯的粘附力；结合低温处理使氧化铝层因应力累积发生断裂，促使石墨烯与目标硅衬底实现充分接触，增强两者之间的粘附力。最终，通过调控界面力，成功实现转移介质从石墨烯表面的直接剥离去除。
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30余家在京科研院所敞开科学大门
在中国科学院物理研究所，该所博士生钱昂向小观众展示一台特别的“抓娃娃机”——二维材料转移平台。这台设备搬运的材料，薄到仅有一层原子厚度。“如果没有这台设备，我们拿取石墨烯薄片，就像用手去抓空气，根本无法实现。”钱昂边说边带着小观众透过显微镜观察。
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大连理工大学《EEM》：综述！无缺陷和无污染的石墨烯薄膜的高效转移研究进展
研究提出从无损转移、清洁转移和高效转移这三个角度研究了当前的石墨烯转移方法。它分析并比较了各种转移技术的先进性和局限性。最后，综述指出了当前石墨烯转移方法面临的主要挑战，并展望了未来的发展前景。
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苏州新维度微纳科技申请基于纳米压印的石墨烯转移方法专利，基于纳米压印实现大面积石墨烯层转移
本发明通过微纳结构层增加微纳结构层与光刻胶层之间的接触面积，进而增加了有机层与光刻胶层之间的结合力，本发明基于纳米压印实现大面积石墨烯层转移，且保证了转移质量。
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Nature Electronics: 石墨烯晶圆的无损转移与器件集成
研究团队利用Cu(111)/石墨烯作为外延模板，基于晶格匹配实现了高质量单晶Sb₂O₃栅介质层的外延生长，并利用石墨烯作为缓冲层，通过较弱的范德华作用力，实现外延层与外延衬底的解耦，确保Sb₂O₃层无损剥离。另一方面，外延制备的Sb₂O₃能够与石墨烯形成良好的范德华接触，进而作为转移辅助介质，辅助石墨烯剥离转移。基于此，研究团队实现了4英寸石墨烯晶圆向目标衬底（Si/SiO₂衬底）的无损转移。
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北京理工大学王业亮/黄元 Adv. Mater.: 通过水汽插层实现可控扭曲角度二维材料转移！！
该技术通过在衬底表面引入水汽分子，实现2DMs从衬底的清洁、均匀剥离，能够灵活地制备扭曲异质结构。利用该技术，研究团队成功制备了具有高质量界面的扭曲单层/少层石墨烯和类准晶结构的WS₂/MoS₂异质结构。此外，还制备了悬浮结构，为研究其本征物理性质提供了便利。
