科研进展

近日，宾夕法尼亚州立大学Joan M. Redwing结合实验和理论研究，研究了石墨烯层厚度和化学功能化对Ga嵌入和2D GaNx形成的影响。

近期，团队受“脆-韧”层压结构启发合成了一种应力诱导石墨烯封装液态金属宏观框架，以提高多功能环氧纳米复合材料的断裂韧性和多功能特性；并研究了其电磁干扰屏蔽、室外除冰性能。

中科院上海微系统所王浩敏课题组采用化学气相沉积法在预处理碳化硅衬底表面实现气相催化辅助石墨烯生长，并以其成功制备高计量准确度的量子霍尔电阻标准芯片。

本工作报道了一种通过化学气相沉积技术在锌箔上直接生长的石墨烯皮肤。这种超薄（20 nm厚度）的“马赛克”状纳米晶烯肤具有较高的电导率，从而保证锌在其上表面沿(002)面取向沉积；同时，生长过程中原位掺入的氮/氧原子有利于锌离子的去溶剂化，加速反应动力学。

近日，摩德纳-雷焦·艾米里亚大学Valentina De Renzi，罗马萨皮恩扎大学Maria Grazia Betti提出了钾在独立的纳米多孔石墨烯上的吸附，从而避免了底物的任何影响。

最近，皇家墨尔本理工大学Jia Baohua 通过利用二维（2D）材料的光学和电学特性对Si进行适当的界面修饰，可以显著改善器件性能。

将具有强拉电子基团的酞菁和四苯基卟啉通过自由基加成反应依次键连到石墨烯表面，石墨烯在形成的三元杂化体系中起到桥连作用，延长了杂化体系的电荷分离态，增强了该有机-无机纳米共轭材料的三阶非线性性能。

“石墨烯的力量在于其扁平的二维结构，由已知最强的化学键连接在一起，”de Heer 介绍称，“从一开始就很明显，石墨烯的小型化程度要比硅强得多，可以制造出更小的设备，同时可以用更高的速度运行，产生的热量也小得多。这意味着，在原则上，石墨烯芯片可以比硅芯片封装更多的元器件。”

为了创建新的纳米电子学平台，研究人员在碳化硅晶体基板上创建了一种改良形式的外延石墨烯，用电子级碳化硅晶体生产了独特的碳化硅芯片。