科研进展

辛娜博士长期致力于探索后摩尔时代新型低维电子元器件，通过充分利用低维材料的性能优势和灵活多样的原位调控策略，揭示微纳尺度内电荷输运机制，并构建出一系列性能优异的功能化器件。

近日，郭雪峰课题组综述了单分子器件的发展并对比了多种单分子电学测量方法，例如扫描隧道显微镜裂结技术、机械可控裂结技术、电迁移法和碳基单分子结。对于多种测量技术目前面临的主要挑战进行了讨论，并详细描述了石墨烯-单分子-石墨烯单分子结的制备流程。

本文证明了GEVI策略可以在各种2D半导体上实现强2D/2D/3D vdWs接触，具有原子级平坦且超洁净的界面。单层石墨烯在四个方面发挥了重要作用：i)从供体衬底释放金属，实现大规模、高分辨且可靠的转移，ii)与2D半导体的强耦合，用于粘附，原子级平坦且紧密的vdWs接触，iii)将2D半导体与金属电极隔离以消除MIGS，iv)改善电荷传输以实现高性能。作为一种低能量集成策略，GEVI在开发基于其他类型薄膜材料(例如碳纳米管、钙钛矿、有机半导体)的器件和与光刻或金属蒸发工艺不兼容的衬底方面显示出巨大的潜力。

这种2D石墨烯/0D量子点异质结显示出高性能纳米级光电器件的应用前景。

作者通过在水凝胶中嵌入定向的氧化石墨烯薄片来实现非互易，取向氧化石墨烯薄片根据加载方向具有相应不同机械性能，其在两种不同微观结构之间切换，这种材料在一个方向上剪切时的弹性模量高出另一个方向60倍以上。

2LM与1LG之间的层间电荷转移和2LM中电荷分布的不平衡导致了二阶超极化所需要的中心对称性破缺，这一点通过第一性原理计算、拉曼光谱和偏振分辨SHG得到了验证。2LM/1LG的SHG强度与单层MoS2的强度具有相同的量级，具有较强的二阶非线性。层间电荷转移可以有效地改变2D异质结的对称性和非线性光学性质。

该制备技术简单实用，有望应用于图案绘制和自动化批量生产。实验结果表明，SGTAD经过多次拉伸、刺激、折叠、洗涤和弯曲后都能输出稳定的声音，不同频段的平均性能退化率分别为8.94%、9.2%、9.4%、9.8%和6%。所提出的设备在六个关键领域优于以前的设备：拉伸性、性能稳定性、防破坏性、易于准备、可弯曲性和声音性能。

本文提出了一种机械剥离分散法，制备了高导电GF，成本低、简单、环保石墨烯油墨。扫描电镜表明，在PET上刮涂石墨烯油墨制备的GF表面均匀，拉曼光谱结果表明GF中的石墨烯纳米片存在较少的缺陷。这些结果表明，我们采用格芯的RFID标签作为商业金属标签的低成本和环保替代品显示出巨大的潜力。

研究采用显微拉曼光谱、X 射线光电子能谱、扫描透射电子显微镜和热重分析测试了 Münchnone 功能化石墨烯的化学性质；利用密度泛函理论研究了 Münchnone 偶极子与石墨烯的 1,3-偶极子环加成反应；并对其反应性和可加工性进行了讨论。

解决Nafion/石墨烯器件在液相环境中的溶胀问题，同时采用界面聚合反应修复石墨烯上的缺陷，保证大尺度石墨烯器件的高完整性。同时构建新的模型进一步的阐明了石墨烯具有高分离比的原因，以及石墨烯在该过程中发挥的特定作用。

本文利用紫磷独特的结构和优异的特性，构建紫磷/石墨烯异质结，将其用于室温ppb级NO检测。本论文拓宽了紫磷的应用领域，并提供了新的紫磷剥离方法。