科研进展

扫描/透射电子显微镜和拉曼显微镜研究表明，合成的纳米片由很少的(2-6)石墨烯层组成。此外，傅立叶变换红外光谱和X-射线光电子期刊防伪光谱分析表明，纳米片上存在氧官能团(C=O和-COOH，氧含量为4.29%)，这对静电吸附水溶液中的重金属、染料和抗生素非常有利。FG纳米片对亚甲基蓝、甲基橙、恩诺沙星和Pb2+等多种污染物具有较强的吸附性能(恩诺沙星分别为99.95%和21.21 mg/g、亚甲蓝分别为98.93%和119.3 mg/g、甲基橙分别为95.82%和25.67 mg/g、Pb2+分别为95.56%和86.10 mg/g)。

本文通过调控化学气相沉积法制备石墨烯的生长参数,分别制备了单层石墨烯薄膜、石墨烯岛、有缓冲层石墨烯等3种形貌石墨烯，探究了石墨烯的形貌特征对其场发射性能的影响，并结合COMSOL多物理场仿真分析了石墨烯的形貌特征对其场发射性能的影响机制。

介于三维的石墨和单层的石墨烯之间，多层石墨烯晶体在完全没有层间转角的情况下可以表现出超乎寻常的物理性质。在出乎理论预言的情况下，近日美国麻省理工学院物理系巨龙课题组在菱方堆叠的五层石墨烯和二硫化钨的异质结中观测到了量子反常霍尔效应。

来自Columbia University （现已就职Harvard University）的Philip Kim教授报告了高迁移率单层石墨烯中磁输运的实验研究。利用电场效应调整化学势，作者观察到石墨烯中电子和空穴载流子都存在不寻常的半整数量子Hall效应。磁振荡证实了Berry相位与这些实验的相关性。除了它们纯粹的科学兴趣之外，这些不寻常的量子输运现象可能会导致碳基电子和磁电子器件的新应用。

新加坡国立大学发明了一种有效掺杂石墨烯的新方法，用于晶圆级生产基于石墨烯的电子器件。它描述了石墨烯的有效表面转移空穴掺杂，具体例子是使用热蒸发的MoO3薄膜对SiC晶圆上的外延石墨烯（EG）进行表面转移空穴掺杂，这是一种化学和空气稳定的掺杂剂。通过在上面沉积MoO3薄膜，已经成功证明了在4H-SiC（0001）上热生长的EG的有效表面转移p型掺杂。

报告中，胡晓凯教授以《热电半导体和异质界面电阻率测试新方法》为主题，介绍了热电子学、热电工原理、半导体热电材料的性能，由此引入数学公式推导圆片样品电阻率公式，再围绕柱状和圆片样品的实验比较、电阻率测试的有限元模拟仿真与误差分析展开深入讨论。

研究小组开发了一种被称为磁隧道结的装置，它使用三碘化铬–一种只有几个原子厚的二维绝缘磁体–夹在两层石墨烯之间。通过向夹层发送微小的电流（称为隧道电流），磁铁的磁畴（大小约为100纳米）方向就能在单个三碘化铬层中得到控制。