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整套器件制备分为石墨烯预成型、电烧蚀造间隙、化学共价桥接分子三步：先通过光刻把石墨烯加工成中间窄的蝴蝶结结构，将纳米间隙在通道中心成型的成功率从 30% 提升至 88%；再在空气中依靠反馈控制电压扫描，利用焦耳热精准烧断石墨烯得到约 0.9 nm 的纳米缝隙，切口处生成羧基官能团并剔除不合格器件；最后选用 0.6 nm 单苯环 1Ph 与 1.0 nm 双苯环 2Ph 两种双氨基分子进行后续研究。

在2026（第五届）中国国际气体分离产业大会上，暨南大学李万斌教授带来了《气体分离微孔膜制备及孔道调控》的报告。报告围绕介孔氧化石墨烯纳米片、超薄低晶度MOF复合膜、MOF玻璃膜以及大面积室温界面结晶，介绍了团队在缩短传质路径、精确调节孔道、消除膜层缺陷和规模化制备方面的系列进展。

会上，与会专家对GB/T 30544.13《纳米科技 术语 第13部分：石墨烯及其他二维材料》和《纳米技术 石墨烯材料表面吸附能力测试 亚甲基蓝法》两项国家标准进行逐条审查与深入研讨。

多环芳烃液晶分子通过强 π-π 相互作用锚定于石墨烯表面；该改性手段可提升石墨烯与芳纶基体的界面相容性，可有效降低界面热阻（ITR），改善石墨烯在芳纶中的分散性和缺陷填充，且不会破坏石墨烯晶格结构。通过该策略制备的改性石墨烯填料，与芳纶通过共混、真空抽滤、热压工艺制备复合导热薄膜。

在此研究中，作者在转角单层-多层菱方石墨烯中发现了高Chern数轨道磁体，记为(1+n)，其中n=3、4和5。磁输运测量显示，当每个莫尔晶胞中一个和三个电子被极化远离莫尔界面时，会表现出显著的反常霍尔效应。

本实验方案弥补该技术空白，详细介绍大面积单晶铜 (111) 箔制备、单晶铜镍合金箔转化、单晶石墨烯薄膜快速化学气相沉积合成、无损伤电化学转移整套操作流程。这份完整实操指南提供一套易复现、易上手的实验方案，助力科研人员稳定制备高质量单晶石墨烯，推动二维材料基础研究与先进电子器件研发进程。

该类碗状的类双层石墨烯结构通过其独特的层内振荡，有效弱化了层间相互作用，从而实现了自由基在宽温度范围内的卓越稳定性。这些被周期性阵列缺陷所稳定的自由基，构成了本征自由基缺陷态，并通过高效的激子解离与电荷转移机制，实现了明亮的NIR-II区发光。封装后的GQD胶束成功应用于小鼠全身血管、脑部、淋巴结及肿瘤的高分辨率、实时动态成像，展示了其在精准医疗诊断领域的巨大临床转化潜力。