[科学简报] 韩国电力研究院开发出基板直接碳涂层技术

韩国电气技术研究院在室温下成功生长石墨烯和石墨薄膜，同时科技信息通信部对半导体实验室启动安全检查

韩国电气技术研究院（KERI）电力电缆研究中心的高级研究员金浩燮Kim Ho-seop（左）和研究员南秀贤Nam Su-hyeon手持涂覆有石墨烯的基板合影。图片由KERI提供。

韩国电气技术研究院（KERI）于27日宣布，其电力电缆研究中心的一个研究团队对一种名为“溅射”系统的、广泛应用于工业领域的涂层设备进行了改造，开发出一项可在室温下直接在基底上生长碳层的技术——从超薄的一至两层“石墨烯”到多层“石墨”薄膜，这些薄膜都能整齐地层层堆叠。石墨烯被视为一种能够减少功率损耗和发热的新型材料。然而，通过传统方法制备的石墨烯需要经过“转移工艺”才能将其转移并附着到其他材料上，这使得在大面积应用或将其与金属交替反复堆叠以用于工业应用时面临困难。该研究团队采用了一种“外延生长”技术，使碳沿着基板表面有规律地排列堆叠。电力电缆研究中心的高级研究员金浩燮表示：“经过多次反复试验，我们通过实验证实，即使使用溅射法，也能形成碳原子规则排列的石墨烯基薄膜。”

科学和信息通信技术部（MSIT）于27日宣布，将新推出专项现场检查和定制化支持计划，以加强大学和研究机构内数量日益增多的半导体实验室的安全管理。随着半导体研究在各大学范围内的扩展，相关实验室事故激增，从2023年的18起增至2025年的32起，几乎翻了一番。为此，MSIT将通过直接走访研究场所开展专项现场检查，核查半导体实验室的安全管理状况，并识别事故风险因素以推动改进。专项检查将于9月底在韩国科技教育大学启动，年内将有三家机构接受试点检查。从明年起，检查范围将扩大至全国22所主要大学和政府资助的研究机构，以便对半导体实验室的运营情况进行更密切的监督。