Paragraf:最后,石墨烯电子设备可供所有人使用

Paragraf GFET-PV01 是一种电解质门控 FET,采用专有技术批量生产,可将石墨烯直接沉积在器件基板上,无需转移处理。这提供了不含聚合物、异物分子或其他缺陷的石墨烯通道。GFET-PV01 设计用于在运行过程中实现均匀的电场。中央栅极电极被三个石墨烯通道包围,与栅极等距。通道的定位可实现一致的测量,并对每个通道进行可靠的手动或自动功能化,以实现多路复用和/或内部参考。封装层便于使用过程中的液体处理。该器件与现成的数据采集系统兼容。

2024年4月09日,星期二,剑桥郡萨默舍姆.Paragraf是世界上唯一一家使用传统半导体工艺生长的免转移石墨烯的石墨烯电子产品的大规模生产商,今天开设了一家新的在线商店,以便在全球范围内访问其独特的基于石墨烯的场效应晶体管(“GFET”)。

GFET在工业、医疗和化学测试应用的开发中具有广泛的用途。Paragraf专有的石墨烯生长工艺使GFET的生产具有比转移石墨烯产品更具优势的石墨烯纯度高,不含聚合物或金属污染物,并且具有单原子厚层的一致性。

Paragraf:最后,石墨烯电子设备可供所有人使用

Paragraf生物传感器总监Mark Davis表示:“Paragraf的GFET解决方案的推出是我们努力为世界各地的科学家和组织提供原始石墨烯测试平台的一个令人兴奋的进展,该平台能够开发可靠、可重复的生化测试。“得益于 Paragraf 代工厂,GFET-PV01 能够每月可靠地生产大量 GFET,现在可供全球客户使用,我们期待为社区服务。”

Paragraf:最后,石墨烯电子设备可供所有人使用

Paragraf GFET-PV01 是一种电解质门控 FET,采用专有技术批量生产,可将石墨烯直接沉积在器件基板上,无需转移处理。这提供了不含聚合物、异物分子或其他缺陷的石墨烯通道。GFET-PV01 设计用于在运行过程中实现均匀的电场。中央栅极电极被三个石墨烯通道包围,与栅极等距。通道的定位可实现一致的测量,并对每个通道进行可靠的手动或自动功能化,以实现多路复用和/或内部参考。封装层便于使用过程中的液体处理。该器件与现成的数据采集系统兼容。

Paragraf:最后,石墨烯电子设备可供所有人使用

Paragraf 的 GFET-PV01 的主要特性包括:

  • 无污染的单层石墨烯电化学传感器
  • 采用标准半导体工艺进行批量生产,符合行业领先规格
  • 大型中央栅极,与三个石墨烯通道等距
  • 专为石墨烯通道的自动或手动功能化而设计
  • 支持多组学和多重检测
  • 与标准数据采集系统兼容

Paragraf:最后,石墨烯电子设备可供所有人使用

Paragraf 的 GFET-PV01 现已从 https://store.paragraf.com/ 处发售。

关于Paragraf

Paragraf是世界上第一家使用标准半导体工艺大规模生产石墨烯电子设备的公司。其目前正在生产的磁传感器和GFET系列以及其他正在开发的半导体器件,利用我们专有的石墨烯生长工艺来充分利用这种神奇材料的无数特性。

本文来自Paragraf,本文观点不代表石墨烯网立场,转载请联系原作者。

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