Graphenea宣布，在其GFET S30发布后，它开发了一种High-K金属栅极（HKMG）制造工艺，用于在石墨烯或GFET上创建场效应晶体管（FET）结构。从 2022 年 2 月开始，此过程现已在专用 GFAB 服务下提供。
HKMG结构在2000年代初引入时引发了硅电子的革命，创造了SiO2栅极电介质的替代品，为进一步缩放铺平了道路。HKMG技术确实使摩尔定律得以延续，比以前最先进的SiO2技术提供了更大的电容和更低的电流泄漏。调制石墨烯中电导的最常见FET架构使用在高度掺杂的Si衬底上生长的SiO2栅极电介质。虽然这种结构易于实现，但当SiO2层变薄时，它会遭受过多的电流泄漏，这通常会使器件无法使用。此外，基板充当全局后挡板，禁止操纵单个GFET器件，这对于许多应用至关重要。
Graphenea Foundry新引入的HKMG工艺同时解决了栅极泄漏和GFET的单独寻址问题，从而进一步可靠地扩展了器件。使用氧化铝作为栅极电介质，该工艺使生产商能够构建具有侵蚀性介电比例的FET结构，其等效氧化物厚度（EOT）仅为5 nm。与标准的90 nm SiO2电介质相比，新技术允许器件在栅极电压降低十倍的情况下工作，这使得Graphenea的GFET更容易获得并与更广泛的电子设备兼容。令人惊讶的是，从nA到pA范围的漏电流也减少了，性能提高了1000倍。
除了上述定量优势之外，新技术还标志着一个质的飞跃，它实现了电导的局部调制，可以解决芯片上的单个器件问题。这在许多应用中非常重要，特别是在光电子学和光子学中。HKMG工艺能够制造用于光电探测器阵列的像素化结构，以及用于波导中电光调制的HKMG结构。
这两种应用代表了石墨烯在不久的将来最大的技术和商业机会，并且都可以通过Graphenea Foundry开创的HKMG工艺获得。
Graphenea Foundry遵循纯粹的铸造模型。该公司遵循独特的垂直整合方案，将客户的想法和原型变为现实：在一个屋檐下种植，转移和加工石墨烯。这使得Graphenea能够持续监控制造过程，并根据客户的需求提供高质量，可靠的石墨烯基设备。Graphenea Foundry专门从事生物传感和光电子与光子应用。Graphenea凭借其在石墨烯制造方面的专业知识为客户提供支持，从早期原型设计到商业化。
我们的产品和服务范围涵盖了石墨烯可能拥有的所有需求：
- 断续器
- 多项目晶圆运行
- GFAB（放大生产技术）
- 接口
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