长沙理工大学/南京大学J. Phys. Chem. Lett.: Gd插层石墨烯中折叠Dirac锥的观察

根据研究结果,Gd插层石墨烯中的复制Dirac带在超过30 K的临界温度后就会消失,并且可以通过钾吸附来抑制。复制Dirac带的调制主要归因于残留的冷冻气体,其在低于30 K的温度下可以作为谷间散射的来源。这项研究结果突出了重掺杂石墨烯中隐藏类Kekulé相的持久性,丰富了目前对其复制Dirac费米的理解。

2023年8月4日,J. Phys. Chem. Lett.在线发表了长沙理工大学/南京大学王灿博士和南京大学张翼教授课题组的研究论文,题目为《Observation of a Folded Dirac Cone in Heavily Doped Graphene》。

施加在石墨烯上的超晶格势可以改变其狄拉克(Dirac)态,从而实现各种量子相。在此研究中,作者报道了使用角分辨光电子能谱(ARPES)在具有Gd插层的重掺杂石墨烯中,在布里渊区中心由超晶格诱导复制Dirac锥的实验观察。复制的Dirac锥源于(√3×√3)R30°超晶格,该超晶格是由两个非等效谷的谷间耦合形成,并伴随着带隙打开。根据研究结果,Gd插层石墨烯中的复制Dirac带在超过30 K的临界温度后就会消失,并且可以通过钾吸附来抑制。复制Dirac带的调制主要归因于残留的冷冻气体,其在低于30 K的温度下可以作为谷间散射的来源。这项研究结果突出了重掺杂石墨烯中隐藏类Kekulé相的持久性,丰富了目前对其复制Dirac费米的理解。

长沙理工大学/南京大学J. Phys. Chem. Lett.: Gd插层石墨烯中折叠Dirac锥的观察

图1 Gd插层过程中K点的RHEED模式和ARPES光谱的变化

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图2 SiC上Gd插层和单层石墨烯的STM表征

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图3 利用ARPES在10 K下测量Gd插层石墨烯在Γ点附近的能带结构

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图4 在10 K下Gd插层石墨烯在Γ和K点附近的二维费米面

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图5 复制Dirac锥在Γ点上的温度依赖ARPES图

论文链接

Wang, C., Wang, K., Wang, H. et al. Observation of a Folded Dirac Cone in Heavily Doped Graphene. J. Phys. Chem. Lett.2023, 14, 7149-7156. https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.3c01271

【其他相关文献】

[1] Bao, C., Zhang, H., Wu, X. et al. Coexistence of extended flat band and Kekulé order in Li-intercalated graphene. Phys. Rev. B2022, 105, L161106. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.L161106

[2] Ichinokura, S., Toyoda, M., Hashizume, M. et al. Van Hove singularity and Lifshitz transition in thickness-controlled Li-intercalated graphene. Phys. Rev. B2022, 105, 235307. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.235307

[3] Bao, C., Zhang, H., Zhang, T. et al. Experimental Evidence of Chiral Symmetry Breaking in Kekul´e-Ordered Graphene. Phys. Rev. Lett.2021, 126, 206804. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.126.206804

[4] Wang, X., Liu, N., Wu, Y. et al. Strong Coupling Superconductivity in Ca-Intercalated Bilayer Graphene on SiC. Nano. Lett.2022, 22, 7651-7658. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c02804

[5] Lee, W., Wang, Y., Qin, W. et al. Confined Monolayer Ag As a Large Gap 2D Semiconductor and Its Momentum Resolved Excited States. Nano. Lett.2022, 22, 7841-7847. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c02501

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