Graphenea Foundry发布GFET S31和GFAB工艺流程,用于钝化、顶部门控和双门控器件

仅在两个月前发布的GFET S30是一款背门器件,可实现电导的局部调制以及通道功能化/敏化。这是探索VOC传感,对光电探测器和其他光电器件进行原型设计的绝佳平台。然而,还有其他应用,如RF器件、倍频器和某些类型的检波器,需要对狄拉克点和迟滞进行严格控制。新型 GFET S31 和 PF3B 通过在高 K 电介质顶部使用额外的顶部栅极来提供这一点。

Graphenea Foundry很高兴地宣布发布其GFET S31,以及其代工厂(PF3B)内部的工艺流程,以制造定制的顶部门控HKMG固态石墨烯器件。

仅在两个月前发布的GFET S30是一款背门器件,可实现电导的局部调制以及通道功能化/敏化。这是探索VOC传感,对光电探测器和其他光电器件进行原型设计的绝佳平台。然而,还有其他应用,如RF器件、倍频器和某些类型的检波器,需要对狄拉克点和迟滞进行严格控制。新型 GFET S31 和 PF3B 通过在高 K 电介质顶部使用额外的顶部栅极来提供这一点。

Graphenea Foundry发布GFET S31和GFAB工艺流程,用于钝化、顶部门控和双门控器件

图:GFET S31可以很容易地实现的双栅极方案。SiO2顶部的黑色条带是石墨烯;石墨烯顶部的蓝色条带是高K电介质。两个栅极的公共接地电极是避免晶体管主体效应的关键。

由于该器件具有局部门控结构,因此仍然可以局部调制石墨烯通道的电导。高K栅极电介质的EOT为20 nm,这使得狄拉克点远低于5 V,用于低电压工作。此外,与传统的非钝化器件相比,介电钝化极大地改善了迟滞行为,实现了稳定的狄拉克点操作,漂移和迟滞最小。

Graphenea Foundry发布GFET S31和GFAB工艺流程,用于钝化、顶部门控和双门控器件

图:10 个后门周期后的狄拉克点偏移(左图)和 10 个后门周期后的迟滞值(右图)。栅极扫描窗口为5 V,栅极扫描比为100 mV/秒,源极漏极电压为20 mV。显示同一芯片上6个器件的数据。

这种多功能结构可实现双栅极操作,其方式与绝缘体上硅器件相同。独立偏置掺杂Si衬底和顶栅电极,可以实现费米能级的全局(使用Si背门)和局部(使用金属顶栅)调制。例如,这使得晶体管能够独立地在传输曲线的p和n分支中工作。这种p-和n-操作是逆变器的基础,逆变器是当今电子产品的基本组成部分。

总之,这一新技术的进步为石墨烯固态器件更复杂的操作模式铺平了道路,解锁了需要对狄拉克点进行严格、可靠和耐用的静电控制的应用。

本文来自Graphenea,本文观点不代表石墨烯网立场,转载请联系原作者。

(0)
GrapheneaGraphenea
上一篇 2022年4月6日 17:00
下一篇 2022年4月6日 18:47

相关推荐

发表回复

登录后才能评论
客服

电话:134 0537 7819
邮箱:87760537@qq.com

返回顶部