Graphenea Foundry通过EOT低至5nm的HKMG工艺流程进行认证，这是业界首创

继GFET S30发布后，Graphenea Foundry很高兴地宣布开发高K金属栅极（HKMG）制造工艺，以在石墨烯或GFET上创建场效应晶体管（FET）结构。从 2022 年 2 月开始，此流程现已在专用的 GFAB 服务下提供。

HKMG结构在2000年代初推出时引发了硅电子学的革命，创造了SiO₂的替代品栅极电介质为进一步扩展铺平了道路。HKMG技术确实使摩尔定律得以延续，与以前最先进的SiO相比，提供了更大的电容和更低的电流泄漏₂技术。

调制石墨烯电导的最常见FET架构使用SiO₂在大量掺杂的硅衬底上生长的栅极电介质。虽然这种结构易于实现，但当SiO₂层被稀释时，它会出现过大的电流泄漏。通常使设备无法使用。此外，基板充当全局后门，禁止操纵单个GFET器件，这对于许多应用至关重要。

HKMG工艺现在由Graphenea Foundry引入，同时解决了GFET的栅极泄漏和单个寻址问题，从而进一步可靠地扩展了器件。使用氧化铝作为栅极电介质，我们能够构建具有积极介电放大到仅 5 nm 的等效氧化物厚度 （EOT） 的 FET 结构。与标准 90 nm SiO₂ 电介质相比，新技术使设备能够在十倍的栅极电压降低下运行，这使得石墨烯的GFET更容易获得并与更广泛的电子设备兼容。出色的是，这同时降低了从nA到pA范围的漏电流，性能提高了1000倍。

除了上述数量优势外，新技术还通过启用电导的局部调制，标志着质的飞跃，用于处理芯片上的单个器件。这在许多应用中最为重要，尤其是在光电子学和光子学领域。HKMG工艺可以制造用于光电探测器阵列的像素化结构，以及用于波导电光调制的HKMG结构。

这两个应用代表了石墨烯在不久的将来最大的技术和商机，并且两者都可以通过Graphenea Foundry开创的HKMG工艺获得。