Angew:原子薄Co1-xSe2/石墨烯异质结构中的Co空位诱导的稳健赝电容Na+插层

近日,澳大利亚格里菲斯大学张山青教授,Yuhai Dou报道了设计并在原子薄CoSe2/石墨烯异质结构的界面上形成Co空位,得到了有利于Na+插层赝电容的Co1-xSe2/石墨烯异质结构电极材料。

电极材料的电子结构工程为实现钠离子电池的高能量、高功率密度提供了一种新的机制。

近日,澳大利亚格里菲斯大学张山青教授,Yuhai Dou报道了设计并在原子薄CoSe2/石墨烯异质结构的界面上形成Co空位,得到了有利于Na+插层赝电容的Co1-xSe2/石墨烯异质结构电极材料。

文章要点

1密度泛函理论(DFT)计算表明,Co空位的引入显著提高了Na+的吸附能,降低了Na+扩散势垒。

2实验结果显示,优化后的电极在0.1 C下具有673.6 mAh g-1的优异容量,在2.0 C下具有576.5 mAh g-1的优异倍率性能,超长寿命可达2000次。动力学分析表明,Na+存储的增强主要归因于Co空位诱导的插层赝电容。

这项研究表明,通过阳离子空位可以使异质结构电极材料具有赝电容Na+插层,以实现大容量和高倍率的储能。

Angew:原子薄Co1-xSe2/石墨烯异质结构中的Co空位诱导的稳健赝电容Na+插层

参考文献

Ding Yuan, et al, Robust Pseudocapacitive Na+ Intercalation Induced by Cobalt Vacancies at Atomically Thin Co1-xSe2/Graphene Heterostructure, Angew. Chem. Int. Ed., 2021

DOI: 10.1002/anie.202106857

https://doi.org/10.1002/anie.202106857

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