刘开辉

刘开辉课题组利用CVD（气相沉积法）在1000oC左右热解甲烷气体，把多晶铜衬底上石墨烯单晶的生长速度提高了150倍，达到60μm/s。这项重要突破的核心是把多晶铜片放置于氧化物衬底上（两者之间的间隙约为15μm）。

刘开辉研究员带领研究生与合作者们一起，利用CVD方法在1000oC左右热解甲烷气体，把多晶铜衬底上石墨烯单晶的生长速度提高了150倍，达到60μm/s。