无转移

采用水蒸气冷凝形成的微米级水珠作为无残留模板，该方法实现了孔径从亚微米到几十微米的调控。所制备的GMM传感器无需转移工艺，最大程度上保留了高活性的边缘位点，表现出优异的NO2检测性能：室温下灵敏度高达7.25% ppm-1，检测极限低至1.18 ppb，远超已报道的CVD石墨烯基传感器。

研究团队通过在Si(100)衬底上直接生长的石墨烯（Gr）界面层，实现了近乎单晶的GaN膜的生长。通过简单的化学蚀刻，可以将GaN膜从Si衬底上剥离并转移到任意衬底上，具有最小的损伤和晶圆级剥离能力。这种技术不仅保持了GaN膜的高质量，还实现了柔性光电子器件的制备，如柔性LED和紫外光电探测器（UV PD）。

本文介绍了一种通过化学气相沉积（CVD）方法在抗共振空心光纤（ARF）中垂直堆叠的六方氮化硼/石墨烯（hBN/Gr）异质结构，用于调节光纤的光学共振，从而增强石墨烯的非线性光学性能。通过控制hBN的厚度，实现了从4%到10%的非线性光学调制深度的显著增加，并将全光调制性能提高了75%。该方法为通过直接生长功能性二维材料基异质结构实现可调谐光学波导提供了可能，为高度集成的光子器件的发展提供了一个稳健的平台。

本研究通过第一性原理计算与实验验证，系统揭示了乙炔和乙烯两种双碳源在 4H-SiC (0001) 与 (000-1) 面上直接催化生长石墨烯的机理。研究发现，两种分子均可在 SiC 表面发生强吸附和裂解反应，生成碳活性物种CHCH。进一步分析表明，CHCH物种在不同化学势条件下呈现出明显的晶面选择性成核行为：低化学势下更易在 (000-1) 面成核，高化学势下则偏向于 (0001) 面。实验结果进一步证实，乙炔作为碳源具有更优的生长速率，而乙烯作为碳源具有更优的生长质量。该研究深入揭示了碳源类型、反应路径与生长结果之间的关系，为可控合成高质量石墨烯提供了理论基础与实验支持。

该综述首先回顾了CVD生长石墨烯的气-固界面反应机制，包括碳源热解、活性碳物种迁移和外延生长过程。随后，从碳源类型、气体组分影响、衬底特征（金属/非金属）及辅助调控策略四个方面，系统分析影响CVD石墨烯形貌和性能的关键因素，并探讨生长机制与非金属衬底生长、低温生长等核心问题的关联。

文章详细讨论了在绝缘基底上通过CVD生长石墨烯的机制和挑战，与在金属基底上的生长行为形成对比。在金属基底上，金属的催化性质显著降低了前驱体分解、石墨烯成核和边缘生长的能量障碍。而在非催化绝缘基底上，这些过程需要更高的能量来启动。

研究发现乙烯/乙炔衍生的C2/C2H及丙烷衍生的C3/C3H是驱动石墨烯生长的关键活性物种，其中C2H和C3凭借优异的迁移能力主导成核过程。实验验证乙炔、乙烯与丙烷可作为理想碳源，其协同作用有效促进石墨烯合成。该发现揭示了石墨烯包覆玻璃纤维（GGFF）的合成机制，为绝缘基底上石墨烯的可控生长提供了理论支撑，对新型结构-功能一体化复合材料的开发具有重要科学参考价值。