纳米带

瑞士苏黎世联邦理工学院Mickael L. Perrin，瑞士联邦材料科学与技术实验室Michel Calame和Jian Zhang（共同通讯作者）等提出了一种基于双栅FET的方法，允许识别不同的场景，例如单个GNR，平行的双或多个GNRs，以及单个GNR与电荷陷阱相互作用。因此，本文的双栅FET结构为理解原子级精确GNRs中的电荷输运提供了一种定量方法。

在后续研究中，Zhang 和 Perrin 的目标是在单个纳米带上操纵不同的量子态。此外，他们还计划在串联的两条纳米带的基础上创建设备，形成双量子点：这种电路可以作为量子计算机中最小的信息单位——量子比特。

总体而言，该研究展示了在合成分子级石墨烯纳米带方面收敛迭代方法的强大威力，并为设计和合成其他类型可溶性巨型GNRs和纳米石墨烯，以全原子精度揭示其长度和尺寸对性质影响的细节铺平了道路。研究还表明，超长分子级GNRs的光电性能可以与量子点相媲美，可能为 LED、光伏、成像等领域的应用打开大门，而全原子精度带来的控制和再现性在这些性质方面提供了额外的价值。

实验中赵方舟发现，这种前体分子的合成方式已经在石墨烯纳米带异质结超晶格上发现并测量到了一维拓扑电子态组成的阵列，这是一个有趣的实验发现并在石墨烯纳米带电子元器件有潜在应用。

石墨烯纳米带（GNR）是准一维的石墨烯条带，作为一类新型的半导体材料，已在电子器件和光电器件领域获得广泛应用，引起了人们的广泛关注。 GNR表现出独特的电学和光学特性，这些特性强烈依赖于其化学结构，尤其是宽度和边缘构型。因此，具有化学精确结构的GNR的可控合成对其基础研究和器件应用至关重要。相较于自上而下的方法，利用预先设计的分子前驱体通过自下而上的方法可以合成具有原子级精确的GNRs。

加州大学伯克利分校Daniel J. Rizzo等研究人员展示了一种设计和制备金属GNRs的通用方法，使用原子级精确的工具，自下而上的合成。这是通过嵌入局部零模态对称超晶格到半导体GNR中。相邻零模态之间电子的量子力学跳变产生了基本紧束缚电子结构模型所预测的金属带。